国产SiC衬底发力了！就在刚刚！英飞凌宣布，他们与天科合达和天岳先进2家SiC衬底厂商签订了SiC衬底和晶锭的多年合作协议。

这是继博世后，又一家国际SiC器件厂商公开宣布采用中国厂商的SiC衬底，这是国产SiC的里程碑事件，一方面体现了国产SiC龙头企业的技术备受认可，另一方面表明车规级SiC需求的强劲。

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5月3日，英飞凌与天科合达和天岳先进签订了长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。

这次公告透露3个要点：

• 天科合达和天岳先进主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底，同时还将提供8吋碳化硅材料，助力英飞凌向8吋SiC晶圆的过渡。

• 与其他厂商不同，英飞凌的协议还包括碳化硅晶锭，这是因为他们曾投资近10亿元，收购了一家激光冷剥离企业，未来将通过自主的激光技术提升碳化硅衬底的利用率，提升器件的成本竞争力。

• 2家企业的供应量均将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。

英飞凌表示，这次与2家中国SiC衬底厂商合作是为了推动其SiC供应商体系多元化，从而向全球3600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。

根据2月2日，英飞凌发布其2023 财年第一季度财报，他们该季度又获得了现代汽车数亿欧元（triple digit million euro，超7亿人民币）的SiC器件订单，在过去4个月，英飞凌获得了30亿欧元（约222.6亿人民币）的碳化硅设计定点。

为此，英飞凌表示，与天科合达和天岳先进签约，将有助于保证整个供应链的稳定，同时满足中国市场在汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统等领域对碳化硅半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料的快速发展。

英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg女士表示：“为了满足不断增长的碳化硅需求，英飞凌正在大幅提高其马来西亚和奥地利生产基地的产能。同时，英飞凌目前正加倍投资碳化硅技术和产品组合，并落实一项多供应商和多国采购战略以增强自身的供应链弹性，让我们广大的客户群体从中受益。”

天岳先进董事长兼总经理宗艳民表示：“我们十分高兴能与全球功率半导体领域的领导者，我们的优秀战略客户英飞凌展开合作，我们将予以高度的重视，同时，我们也期待与英飞凌携手，共同促进碳化硅产业、全球数字化、低碳化进程以及可持续发展，天岳先进也将持续扩大产能，为全球客户提供更多价值。”

天科合达总经理杨建表示：“我们很高兴全球功率半导体市场的领导者—英飞凌成为了我们的客户，期待与英飞凌的携手合作。天科合达将不断改进碳化硅材料并开发新一代8英寸晶圆技术，英飞凌是我们在该领域的优秀客户。”

就在上周，还有一家TOP 10 碳化硅器件企业宣布采用中国SiC衬底。

4月27日，天岳先进披露了2022年年报，该年报显示，2022年他们就与博世集团签署长期协议。

博世汽车电子事业部功率半导体和模块工程高级副总裁Ralf Bornefeld说，“电动汽车市场正在飞速增长，要打造高效的电力驱动解决方案，碳化硅是功率半导体的首选材料，我们很高兴SICC（天岳先进）加入我们的碳化硅衬底片供应商行列，以支持我们满足客户对高功率设备不断增长的需求。”

根据“行家说三代半”了解，目前博世的SiC器件已经被比亚迪、广汽和江淮汽车等众多厂商所采用，为此博世也是一而再再而三扩产。

4月26日，博世官网宣布，他们将收购美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，未来几年还将投资15亿美元（约合人民币104亿元），升级TSI半导体在加州Roseville的生产设施，并计划从2026年开始在8寸晶圆上生产碳化硅器件。

而在此前，博世已经3次对外宣布要扩大碳化硅投资，累计投资金额近49亿元。

实际上，除了天岳先进和天科合达外，还有多家中国SiC衬底和外延厂商的产品已经被国际器件厂商所采用，未来将会有更多的国产SiC产品进入汽车供应链，有助于缓解全球SiC供应紧张问题。

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