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良率提升，三星将量产4nm

来源:半导体行业圈发布时间:2023-03-13

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据外媒报道，三星将从2023年上半年开始大规模量产第三代4nm芯片，以夺回部分失去的客户。

据报道，该公司面临的最大问题之一是良率问题，该问题导致其最大的客户高通被台积电抢走。

外媒报道称，高通不仅在骁龙8+ Gen 1的代工上从三星转向台积电，而且在其目前最顶级的骁龙8 Gen 2应用处理器上也选择由台积电代工。此外，据传闻，台积电也将是制造骁龙8 Gen 3 芯片组的代工厂。

除了高通，三星还把特斯拉这个大客户让给了台积电。去年12月份，业内人士称，台积电在亚利桑那州的新美国工厂已获得特斯拉的4nm芯片订单，预计将在2024年启动批量生产。

如今，根据最新信息，三星似乎已经解决了良率问题。报道称，三星电子 3 月 12 日发布了一份商业报告，报告提到将在今年上半年开始 2.3 代（2.3-generation process） 4 纳米工艺大规模生产。这是三星电子首次提到 4 纳米新版本的具体量产时间。与 4 纳米芯片的早期版本 SF4E 相比，第二代和第三代产品显示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圆面积。

报道称，自 2022 年开始，三星电子的 4 纳米工艺的良率进入正轨后，三星电子稳定地提高了其产能。业内人士估计，三星电子的 4 纳米工艺良率为 60%。虽然良品率没有达到台积电的水平，但专家表示，其良品率正在迅速提高，后续版本的大规模生产也在加速进行。

另有报道称，三星长期客户的谷歌很可能会使用三星第三代 4nm 工艺，生产设计 Tensor G3 芯片。

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