高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响
来源:宽禁带半导体技术创新联盟 发布时间:2023-01-16 分享至微信


本期主题:高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响

报告作者:Donghyun Jin and Jesús A. del Alamo


▲ 报告来源:

Impact of high-power stress on dynamic ON-resistance of high-voltage GaN HEMTs

▲报告作者:

Donghyun Jin and Jesús A. del Alamo


文章来源:芯TIP


[ 新闻来源:宽禁带半导体技术创新联盟,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论

暂无评论哦,快来评论一下吧!