百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工,进入试生产阶段
来源:全球半导体观察整理 发布时间:2023-01-11 分享至微信

据盘锦高新技术产业开发区消息,目前,辽宁百思特达半导体科技有限公司(以下简称“百思特达”)的氮化镓半导体芯片项目已经进入产品试生产阶段。


消息显示,百思特达是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业,始终致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局。该公司投资3亿元建设的氮化镓半导体芯片项目,占地面积125亩,总建筑面积51302.28平方米,其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。


2022年12月中旬,氮化镓半导体芯片项目全面竣工投产,在完成厂务动力设备包含电力设备系统、水设备系统、气化设备系统、FFU系统等调试工作后,并同步对MOCVD、烤盘炉等一系列生产设备的一、二、三阶调试完成后,开始进行产品试生产。


据悉,氮化镓半导体芯片项目的建成达产,可为百思特达增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。


封面图片来源:拍信网


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