东芯股份:明年可提供基于48nm工艺的512M NOR Flash样品
来源:日新 发布时间:2022-12-30 分享至微信


集微网消息(文/杨艳柔)近日,东芯股份在接受机构调研时表示,目前公司主要有量产的65nm工艺和48nm工艺包括1.8V的64M-256M的NOR Flash产品,明年可以为公司的客户提供基于48nm工艺的512M和通过堆叠方式提供1Gb的样品。这些中大容量的产品主要应用在一些工业及高可靠性的应用场景中。此外公司也在积极布局3.3V的NOR产品,丰富产品线从而进入更多终端市场。


在SLC NAND竞争格局方面,东芯股份表示,SLC NAND目前全球的主要产能还是在韩国的三星、海力士,美国的美光,日本的凯侠以及台湾的华邦、旺宏这些IDM公司。目前在晶圆代工方面我们也是希望能和晶圆厂更积极的配合,得到更多产能支持才能为未来的市场份额打下基础,随着国外大厂对这个市场的逐步退出我们相信在SLC NAND这个市场里还有很大的市场空间。


关于DRAM市场空间的问询,东芯股份回应,利基型DRAM一年全球大约有100亿美金的市场,公司也会关注与利基DRAM产品相关的信息,我们目前涉及的产品包括标准的DDR3以及 低功耗的LPDDR1、2,主要的应用端还是在OTT、IPTV、IPC和模块类的应用等。


另外,东芯股份称,MCP产品的下游应用主要是模块类的客户,受到市场波动的影响较小。整个市场一方面是基于客户需求量的增长,另一方面主要是产业的升级迭代。


(校对/黄仁贵)


[ 新闻来源:集微网,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论

暂无评论哦,快来评论一下吧!