搭载SiC电控｜哪吒汽车发布800V SiC高性能电驱系统—

搭载SiC电控｜哪吒汽车发布800V SiC高性能电驱系统——浩智电驱

来源:宽禁带半导体技术创新联盟发布时间:2022-11-23

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11月21日，哪吒汽车举行“浩智战略2025”全球技术品牌发布会。围绕智能电动汽车核心关键部件——智能超算平台、电驱系统、增程器系统、核心关键零部件系统发布了浩智超算、浩智电驱、浩智增程等技术品牌，并一次推出三款具备行业独创性的前瞻技术产品，包括智能汽车中央超算平台、800V SiC高性能电驱系统、高效三合一增程器。

其中，基于SiC技术的高集成电驱动系统平台——浩智电驱是发布会的一大亮点。

哪吒汽车发布的浩智800V SiC高性能电驱系统由SiC电控单元、油冷扁线电机、细高齿减速器三部分组成，系统采用三合一高集成设计，具备“高压、高速、高效”三大亮点。基本的性能参数如下：

- 电机峰值功率：250kW

- 电机最高转速：21000rpm

- 电机最大扭矩：420N·m

- 最大输出扭矩：4600 N·m

后置电机系统将会赋能山海平台，使整车具有更长的续航能力，更快的补能效率以及更好的动力性能，为用户带来更好的驾乘体验。

800V碳化硅高性能电驱系统采用了电机和减速器共和体的结构设计，电机与控制器共冷却管路，行业领先的一体式全内置冷却循环结构，冷却系统紧密衔接，具有内置管道路径短、流阻低、集成度高、结构紧凑的特点。

碳化硅带来的优势

采用第三代半导体材料制备的碳化硅半导体器件，不仅能在更高温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以更低的损耗获得更高的运行能力，可实现超过20KHz的高频运行。

后置电驱的碳化硅电控单元基于硬件平台化设计，可实现SiC模块和IGBT模块的PIN-PIN切换，适用于800V中压平台和800V高压平台。

相比Si基IGBT，碳化硅电控系统体积更小、频率更高、开关损耗更低，可以使电驱系统在高压高温下保持高速稳定运行。800V碳化硅高性能电驱系统搭载的碳化硅电控可以实现400V碳化硅功率器件损耗降低30%-50%，800V碳化硅功率器件损耗降低50%-70%。

碳化硅应用带来6个方面的优势：

- 控制器温度降低5-8℃，电机本体温度降低8-12℃，系统运行更可靠

- CLTC综合效率提升3%-5%，整车续航里程增加高达8%

- 驱动系统噪声降低5-8dB（A），驾乘更“静谧”

- 支持800V快充，充电速度更快，可实现5min充电200km续航

- 电池放电电流降低，有利于电池热管理

- 控制器功率密度达到50kW/L，体积更小

总结

总的来说，800V碳化硅高性能电驱系统的三大亮点：高效率、高性能、高静谧。

首先，高效率。电驱系统CLTC效率可达91.5%；综合续航能力提升8%；充电5min续航200公里；实现3s级的百公里加速。

其次，高性能。电机持续功率密度3.5kW/kg；电机峰值功率密度8.92 kW/kg；电机峰值扭矩密度15N·m/kg；MCU体积密度达到52 kW/L。

最后，高静谧。系统噪声降低5-8 dB（A）。

基于800V碳化硅高压电驱系统的产品发布，标志着哪吒汽车拥有完全自研、正向开发800V碳化硅电驱系统的能力，将在2023年实现搭载上车。基于此，哪吒汽车还将逐步推出中压/高压135kW~270kW永磁电驱系统和异步电驱系统，永磁系统和异步系统仅进行转子的差异化设计，控制器实现模块化设计和制造。

来源：芯TIP

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