碳化硅晶体生长时，晶体轴向中心与边缘的生长界面的“环境”不同，使边缘的晶体应力徒增，且晶体边缘由于石墨档环"碳”的影响，容易产生“综合缺陷”，如何解决边缘问题或增加中心有效面积（95%以上）是重要的技术课题。

随着“微管”“包裹物”等宏观缺陷逐渐被行业控制，挑战碳化硅晶体“长快、长厚、长大”，边缘“综合缺陷”就异常突显，随着碳化硅晶体直径、厚度的增加，边缘“综合缺陷”会以直径平方及厚度成倍数增加。

采用碳化钽TaC涂层, 是解决边缘问题，提高晶体生长质量，是“长快、长厚、长大”的核心技术方向之一。为了推动行业技术发展，解决关键材料“进口”依赖，恒普科技突破性解决了碳化钽涂层技术（CVD），达到了国际先进水平。

碳化钽TaC涂层，从实现的角度并不困难，用烧结、CVD等方法都容易实现。烧结法，采用碳化钽粉或前驱体，添加活化成分（一般为金属）和粘接剂（一般为长链高分子），涂覆到石墨基材表面高温烧结。CVD法，采用TaCl5+H2+CH4，在900-1500℃，沉积到石墨基体表面。

但碳化钽沉积的晶向，膜厚均匀、涂层与石墨基体的应力释放、表面裂纹等基础参数，却极具挑战。特别是能在SiC晶体生长环境下，有稳定的使用寿命是核心参数，是最难点。

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