英飞凌推出二合一控制器,集成PFC+HFB控制
来源:充电头网 发布时间:2022-08-19 分享至微信



英飞凌大中华区电源与传感系统事业部 技术支持总监 钱家法发表了《基于PFC HFB Combo控制器 XDPS2221的USB-PD3.1方案》为主题的演讲,英飞凌是USB PD3.1协议的制定者,可以提供快充半导体器件的一站式供应,满足不同功率的快充充电器设计,具有氮化镓,氮化镓集成芯片和CoolMOS在内的多种开关器件,以及对应的控制器等产品。


HFB为Hybrid FlyBack混合反激的缩写。


英飞凌本次的介绍分为四个部分,首先分享的是英飞凌全球首发的分立HFB软开关控制器XPDS2201的方案,为单独的HFB控制器。


HFB是混合反激软开关拓扑,相当于隔离Buck结构,在Buck降压的基础上做了隔离。通过使用两个开关管组成半桥,与变压器电感和电容串联。在上管Q1导通时,变压器磁化储能,并为电容充电,Q1关断,Q2导通时,退磁反激,电容上的能量通过变压器传递到次级侧。

英飞凌的HFB拓扑支持宽输入电压和宽输出电压,可以满足大功率的PD应用需求,并容易实现主开关管的零电压开通和输出整流零电流关断,降低开关损耗带来的发热。相比传统反激,相同的开关频率下,磁通密度明显减小,铁损也减小,开关频率也得到降低,可以使用更小的变压器,减小充电器的体积。


英飞凌展出了一款使用PFC+HFB+MOSFET的HFB 100W PD适配器的参考设计,支持90~264Vac宽电压输入,支持5-20V输出,峰值转换效率达到94.4%。参考设计尺寸为60*40*18mm,功率密度达到2.31W/cm³,主变压器采用EQ25磁芯。这款参考设计采用PFC和HFB控制器分立的设计,使用MOSFET,电路简洁。


下一款参考设计是一款240W的HFB拓扑参考设计,为320-400Vdc供电,支持24V10A输出,峰值转换效率达到97.6%,峰值输出功率为350W。参考设计尺寸为70*41*21mm,功率密度达到4W/cm³,变压器采用RM10磁芯。


安克最新推出的USB PD3.1 140W氮化镓充电器就内置了英飞凌XDPS2201控制器,支持90~264Vac宽电压输入,支持28V5A输出,峰值转换效率达到95%。充电器尺寸为67.5*57.5*31mm,功率密度达到1.16W/cm³。


英飞凌推出的HFB拓扑可以满足USB PD3.1的EPR大功率应用,其中蓝色的器件均来自英飞凌,可以一站式完成快充方案。


第二部分是英飞凌新一代PFC+HFB Combo软开关控制器XDPS2221的介绍,将PFC控制器与XDPS2201控制器相结合,打造更加简洁高效紧凑的电源设计。


XDPS2221将PFC控制器和HFB控制器封装在一起,在节省占板面积的同时,带来了显著的性能提升。英飞凌XDPS2221内部集成了三个栅极驱动器,用于PFC驱动和半桥开关管驱动。芯片内部集成无磁芯变压器驱动,具有高耐压和强大的抗干扰能力,显著提升产品的可靠性。同时驱动电流和电流斜率均可调节,方便优化EMI特性。

英飞凌XDPS2221可以灵活的搭配MOSFET和GaN使用,芯片内置高压驱动器,电路非常简洁,有效减少零件数量并降低成本。相比直接驱动MOSFET来说,只需增添驱动电路的钳位电路,即可直接使用GaN器件。


英飞凌还推出了CCG3PA系列USB-C PD控制器CYPD3175,支持EPR应用,外围电路非常简洁。芯片内置ARM M0内核,可针对特定规格进行参数配置,内部集成模拟模块,满足快速精准的保护功能以及驱动功能。


第三部分是英飞凌高可靠性分立CoolGaN和集成驱动的CoolGaN IPS集成功率级介绍,是英飞凌的GaN产品,满足高性能和高可靠性的要求。


英飞凌适用于PFC应用的高压CoolGaN分立单管介绍,其中标注为黄色的DFN8*8和ThinPaK5*6封装的600V耐压器件,适用于适配器和PD快充的PFC电路应用。


接下来是英飞凌集成驱动的CoolGaN器件,分为半桥和单管两种。器件内部集成无磁芯隔离驱动器,提升器件的安全性和可靠性。支持3.3V的数字PWM输入电平,具有抗尖峰脉冲滤波器,并可通过栅极电阻控制dv/dt,高集成的设计简化大功率应用。英飞凌提供多种不同规格集成驱动的CoolGaN器件选择,满足不同功率的应用。


英飞凌集成驱动器的CoolGaN器件,可以通过驱动器和GaN之间外置的阻容元件调节GaN的开关速度,具有分立单管应用的灵活优势,使用更加方便。


最后一部分是英飞凌的高压CoolMOS产品和中低压OptiMOS产品介绍,两种MOS管在PD快充以及相关的大功率产品中应用也是非常广泛的。


PFD7系列是英飞凌的第七代CoolMOS,显著减小了输出电容的滞回损耗,提升软开关应用的系统效率,在栅极集成ESD保护器件,提升器件的可靠性,具有更低的驱动损耗,可以提升轻载效率,体二极管的Qrr降低,更加适合半桥应用。提供TO220FP,TO252,SOT-223和ThinPAK封装。


OptiMOS PD系列是专为充电器和适配器开发的低压MOS产品,主要为PQFN3.3*3.3封装和PQFN5*6封装,新增添IS开头产品,性价比提升,价格和交期更有灵活性,同时支持逻辑电平驱动,兼容同步整流,大功率移动电源应用,具有很低的导通电阻。


英飞凌还新推出了PQFN2*2封装的VBUS开关管,属于OptiMOS5系列,非常适合高密度应用。支持25和30V耐压,并具有极低的导通电阻。


英飞凌在分享的结尾,还预告了一款140W的USB PD3.1混合反激电源参考设计,采用XDPS2221主控芯片,支持90~264Vac宽电压输入,支持5V3A-28V5A输出,目标转换效率达到95%,满足六级能效。参考设计尺寸为110*38*23.5mm,功率密度达到1.43W/cm³,采用三颗IGLD60R190D1 CoolGaN器件。


英飞凌在演讲中提供了《XDP Hybrid-flyback Controller XPDS2201规格书》,《英飞凌USB-C充电器和适配器应用手册》,《英飞凌为USB-C PD充电器提供的建议和解决方案白皮书 》三个文档下载,有助于了解英飞凌USB-C PD充电器的产品线布局。

充电头网总结

在本次亚洲充电展上,英飞凌分享了有关USB PD3.1的产品线布局,新推出的XPDS2221 PFC+HFB二合一控制器,进一步简化了充电器的设计,并提升了整体能效水平,助力打造更具竞争力的快充产品,满足即将爆发的USB PD3.1快充需求。
英飞凌的CoolGaN系列产品线具有单管和集成驱动器的单管和半桥器件,均具有出色的性能和可靠性,在集成驱动器的产品中,应用了无磁芯隔离驱动器,抗干扰能力更强。最后还介绍了英飞凌的PFD7系列和OptiMOS系列产品。英飞凌可实现控制器,功率器件以及协议芯片等全套元器件的一站式供应,满足完整的高性能快充应用。

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