4H-SiC紫外光电探测器最新成果
来源:半导体产业网 发布时间:2015-01-02 分享至微信
碳化硅(4H-SiC)材料禁带宽度器大、本征载流子浓度低、抗辐射能力强,可用于制备对可见光完全没有响应的可见光盲紫外光电探测器。本项目组独立研制、生产的低噪声4H-SiC PIN光电二极管,具有检测灵敏度高、噪声低、使用方便等优点,光谱响应范围约200-400nm,对可见光完全无响应,峰值响应度约0.13A/W@270nm,光敏面积包括200×00μm2、400×400μm2、1*1mm2、2*2mm2等多种规格,封装有表面封装(SMT 3528)、TO46和TO5等,可广泛应用于实验室光谱测量、紫外线消毒灯辐射强度监测、太阳紫外线强度指数测量、紫外辐射强度测量等。


Figure 1 4H-SiC PIN光电二极管的光电响应曲线

技术成熟度

已小批量生产,已开发出太阳紫外线强度指数监测仪、紫外光电检测前置放大器、可见光-紫外双通道照度计、紫外线消毒灯辐射强度监测仪等产品,项目组可提供不同应用的完整解决方案,包括硬件设计、软件开发、响应度标定等。



应用范围

实验室光谱测量、紫外线消毒灯辐射强度监测、太阳紫外线强度指数测量、紫外辐射强度测量等。



团队负责人
张峰,厦门大学物理科学与技术学院特聘教授,主要研究领域:1.宽禁带半导体SiC基MOSFET、IGBT等功率器件研究;2.宽禁带半导体紫外光电探测器研究;3. 宽禁带半导体深能级缺陷与少子寿命研究。
(来源:厦大科创梦工场)
[ 新闻来源:半导体产业网,更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj]
存入云盘 收藏
举报
全部评论

暂无评论哦,快来评论一下吧!