6月23日消息，据报道，知情人士今日称，中国存储芯片长商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的差距。

在经历了突飞猛进的增长后，长江存储急需扩大产能，以在全球半导体市场进一步赢得份额。两名知情人士称，长江存储当前的工厂一直在接近满负荷运转，2021年底每月生产10万片晶圆。

分析师预计，长江存储去年的全球市场份额接近5%，已成为世界第六大NAND闪存制造商，仅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部数据和美光。

当前，长江存储约40%的产量是128层3D NAND闪存，这是迄今为止中国芯片制造商生产的最先进的产品，其余主要为64层3D NAND闪存。这要落后于三星、SK海力士和美光等全球领先者。

长江存储新工厂最初将主要生产128层闪存，如果2023年和2024年开发进展顺利，可能会转向更尖端的芯片，如196层或232层3D NAND闪存。

两位知情人士称，自去年以来苹果公司一直在测试长江存储的闪存产品，最快可能在今年首次“限量”下单。事实上，自2018年以来，苹果就一直与长江存储谈判，希望找到成本效益高的存储元件。

业内高管表示，赢得苹果的订单将是一已个里程碑，突显了长江存储芯片的质量。一项分析显示，中国大陆（包括香港）成为苹果最大的供应商来源地。

知情人士称，长江存储目前正在为新工厂安装设备，这是投产前的关键一步。新工厂的产能最终将达到第一座工厂的两倍。而这两家工厂的总产能将达到每月30万片晶圆，有助于长江存储将其全球市场份额扩大到10%以上。

据悉，长江存储有两个平行的团队，由数百名顶级工程师组成，负责开发196层和232层的闪存，其目标是赶上外国竞争对手。

当前，三星、美光和SK海力士都成功生产了市场上最先进的产品，即176层3D NAND闪存芯片。与此同时，他们也在竞相开发200多层的芯片。而Kioxia和西部数据表示，将在今年年底前制造162层3D NAND闪存。闪存芯片的层数越多，芯片就越先进，开发和商业化生产就越难。

长江存储拒绝就此事置评。