新洁能:已获得6项第三代半导体专利,一项国际发明专利受理中!
来源:百家号 发布时间:2020-11-07
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核准制次新股
公司上市日期为2020-09-28,主营为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。
第三代半导体
公司在第三代半导体方面,已获得 6 项专利授权,一项国际发明专利受理中。
SiC 方面: 预计今年年底之前推出 SiC 二极管系列产品。新能源汽车是 SiC功率器件未来最大的应用领域之一, 也是公司未来市场重点布局的方向。
GaN 方面: 公司持续密切关注全球 GaN 产品、应用方案和专利情况,积极和下游客户研究基于 GaN 的电力电子设备在性能、成本、可靠性等多方面的性能,预计 2021 年公司将推出 GaN 系列产品,并形成自有知识产权。

半导体
国内领先的半导体功率器件设计企业,最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品的本土企业之一,已逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代;公司与包括纳恩博、飞毛腿、富士康等多个下游细分龙头企业均建立了合作关系,连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业。
芯片概念
招股说明书披露:公司是专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。
高送转预期
公司每股资本公积金较高(5.68元),每股未分配利润较高(4.03元),且总股本较小(1.01亿股),有较强的高送转潜力。
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