【2022年3月28日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司近日推出了新一代EiceDRIVER™ 2EDN栅极驱动器芯片系列。新器件是对现有2EDN驱动器芯片产品线的补充，可减少外接组件的数量，并节省设计空间，从而实现更高的系统效率、卓越的功率密度和持续的系统稳健性。随着新产品的推出，2EDN系列驱动器芯片可广泛应用于服务器、电信设备、DC-DC转换器、工业SMPS、电动汽车充电桩、电机控制、低速轻型电动汽车、电动工具、LED照明和太阳能系统等应用中，提升功率开关器件的性能。

EiceDRIVER™ 2EDN栅极驱动器芯片系列

新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列包括稳定可靠的双通道低边4A/5A栅极驱动器IC。它不仅适用于高速功率MOSFET，还适用于基于宽禁带（WBG）材料的开关器件。这些栅极驱动器可以助力工程师满足不同封装尺寸的设计要求，确保系统在进入欠压闭锁(UVLO)状态之前安全关断，并加快UVLO功能的响应速度，从而确保系统的稳定运行，增强抗干扰能力。

【2022年3月31日，德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司推出了650 V CoolSiC™ MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D²PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。

650 V CoolSiC™ MOSFET

新产品可在更大电流下提供更出色的开关性能，相比于最佳硅器件，其反向恢复电荷（Q_rr）和漏源电荷（Q_oss）降低了80%。通过降低开关损耗，该产品可在缩小系统尺寸的同时，实现开关频率，从而提高能效和功率密度。沟槽技术为实现卓越的栅极氧化层可靠性奠定了基础，加之经过优化的耐雪崩击穿能力和短路耐受能力，即使在恶劣环境中亦可确保极高的系统可靠性。SiC MOSFET不仅适用于连续硬换向情况，而且可以在高温等恶劣条件下工作。由于它们的导通电阻（R_DS(on)）受温度的影响小，这些器件实现了出色的热性能。

【2022年4月1日，德国慕尼黑讯】全球有数十亿人被睡眠问题所困扰。科学研究表明，仅睡眠呼吸暂停患者就有近十亿人，这些患者在夜间睡眠过程中会出现呼吸中断等症状。这会导致各种健康问题，包括打鼾、日间疲劳等，甚至还有可能引发心脏病和糖尿病等更棘手的疾病。然而诊断睡眠呼吸暂停综合症并非易事，通常需要在睡眠实验室中观察患者。但在这种有压力的环境中，可能会造成结果偏差。

为了解决这个问题，英飞凌科技股份公司与瑞士数字健康技术公司 Sleepiz合作，推出了一套易于使用的居家睡眠监测解决方案。该解决方案采用了英飞凌的XENSIV™毫米波雷达技术与Sleepiz的可靠算法，可集成到智能音箱、床头灯等任意联网的智能家居设备中，从而满足大众消费市场的需求。

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了解生命体征数据可以帮助数百万的病患和医生检测出呼吸暂停等睡眠障碍，从而改善睡眠质量。得益于英飞凌的 XENSIV™  毫米波雷达技术，相关生命体征数据可以通过非接触式和匿名方式进行收集，无需识别人员的身份。由于雷达技术的高灵敏度，它可以检测到这些数据，并可穿透各种材料 (如毛毯)，感知到最接近设备的人员的亚毫米级动作(sub-millimeter movement)。相关资料会以 Sleepiz 提供的机器学习 (ML) 算法进行分析，并匿名存储在云端供用户访问。