安世半导体（Nexperia）是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家，持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。安世半导体连续在 2020 和 2021 年参加中国国际进口博览会，借此机会我们特别专访了安世半导体全球销售资深副总裁张鹏岗，请他介绍安世如何运用逻辑电路、分立器件和 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）方面的最新技术推动全世界电子设计的发展。

安世半导体全球销售及营销资深副总裁

兼中国区总经理张鹏岗

生产与研发：全球化与国产化并进

在中国电动汽车市场快速增长和“碳中和”大趋势下，安世半导体致力为国产汽车半导体保驾护航，与客户共创美好的未来。早在新冠疫情和全球汽车半导体短缺出现之前，安世半导体就已经制定了大幅扩大产能的全球增长战略，实施了一系列在国内外扩大研发和产能举措。

△ Nexperia（中国）有限公司广东工厂

安世在国内拥有完善的生产和研发布局，位于广东东莞的安世半导体（中国）有限公司早在 2000 年就已经投产，扩建的新分立器件封装和测试工厂在 2018 年初正式投产。安世半导体的母公司闻泰科技在 2020 年与临港新片区、临港集团签约，投资了中国第一座 12 英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心。在全球范围内，安世在去年收购了英国的 Newport 晶圆厂使得在 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）、功率 MOSFET 模拟和化合物半导体产品线方面具备前端能力，并宣布扩建在曼彻斯特和汉堡的 200 mm 晶圆厂、亚洲的封装和测试工厂及全球的研发基地。这些扩产和收购举措显著提升了安世半导体车规级标准产品的供应能力，扩大了市场份额。

△ Nexperia 获得 Newport Wafer Fab 100% 所有权

安世半导体的研发投入将从 9% 提升到 15%，并在全球招聘更多研发工程师。目前强大的研发投入初见成效，更多新产品如 IGBT、中高压 MOSFET、Analog（模拟）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等均将在今年和未来几年逐步量产。特别的，安世半导体于 2021年 7 月在上海正式成立中国研发中心（China Design Center），为国内电动汽车、工业电子、消费电子及光伏逆变器领域提供定制化及高性能产品。清华大学 - 闻泰科技工业与车规半导体芯片联合研究中心于 2022 年 1 月 7 日正式揭牌，该中心对于发挥双方优势，攻关解决车规半导体芯片领域的关键核心技术、推动产教融合和行业发展具有重要意义。

今年是安世半导体作为独立实体进入半导体行业五周年，虽然作为一个较为年轻的品牌，但凭借过去几十年作为飞利浦半导体和恩智浦半导体的一部分，已在半导体制造领域口碑优良、表现强劲，只经过五个春秋的不懈努力就在市场站稳脚跟。安世半导体庞大的产品线和客户群、持续增加的研发投入、快速增加的晶圆和封测产能将保证公司保持持续增长。

引领全球基础半导体器件的专家

安世半导体致力于做生产大批量基础半导体器件的专家，产品广泛应用于全球各类电子设计，目前约有 15,000 种产品，每年新增 800 余种新产品。全系列的新产品帮助客户开发更高性能的产品并支持关键应用趋势。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD（Electro-Static discharge，静电释放）保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管（GaN FET）以及模拟IC（集成电路）和逻辑 IC，每年可交付 1,000 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。安世半导体的小信号分立器件、功率分立器件、逻辑和模拟集成电路支持电气化、连接性和数字化、能源效率及工业 4.0 和自动化等应用，产品在消费电子、汽车和工业市场份额不断增长。同时，受益于新增的产能，安世在工业物联网和自动化、数据中心等基础设施市场也在迅速增加。开关电源（SMPS）、AC-DC（交流-直流）和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等工业应用也将受益于下一代宽禁带（WBG）功率半导体产品。安世半导体正在为工业客户提供标准产品或汽车级产品（AEC-Q101 和 ISO/TS16949 汽车质量标准）之间的选择，满足他们所需的越来越多的非汽车应用产品和服务。

△ Nexperia 荷兰奈梅亨总部

作为未来创新技术推动者和中国企业必不可少的首选合作伙伴，安世在汽车、工业（含5G）、移动、计算机和消费电子等多个细分市场中帮助客户发现新的商业机会，公司也将继续增加在研发和产能上的投资，大幅扩大产能来支持全球增长战略。所拥有强大的全球化分销网络，是安世半导体在产业中长盛不衰的保证。

发力高功率器件与第三代半导体安世半导体正从一家纯粹的分立、逻辑和功率 MOS 制造商开始向更高功率器件、模拟器件和集成电路领域扩张，并显著增加市场份额。因此安世逐渐成为众多全球知名电子品牌的首选供应商，几乎世界上所有的电子设计都使用安世半导体的器件。

随着人们的能源节约意识日渐增强，对于具备出色效率和功率密度的高功率应用的需求日益旺盛。而在这方面，硅半导体功率器件将很快达到其材料物理极限。诸如氮化镓（GaN） 和碳化硅（SiC）等 WBG 产品现在能够很好地满足大批量应用的严格要求，为 OEM 厂商带来更高的效率和功率密度，降低系统成本和运营成本。安世半导体今年已经正式进军高功率碳化硅（SiC）整流器市场，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围，满足汽车电气化， 5G 通信基础设施、工业 4.0、机器人技术、云计算、数字化和绿色能源等领域的需求。

△ Nexperia 推出氮化镓功率器件 (GaN FET)

△ Nexperia推出碳化硅 (SiC) 二极管系列

宽禁带（WBG）产品的快速开发和采用使得性能水平达到了几年前无法想象的高度——可以说，没有 WBG，一些新的项目需求是不能满足的。WBG 产品被越来越多地运用到项目设计中，效率越来越高，损耗/排放越来越低，整体功率密度不断提高，在帮助实现“碳中和”的过程中贡献良多。中国（和全球）电动汽车市场的快速增长促使设计师采用更高功率密度器件的趋势愈加明显。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）正广泛应用于高效率、高功率要求的应用中。

安世半导体一直投资和研发自有氮化镓工艺技术。通过逐年的经验积累和技术深入，掌握未来如何以最优方式运用这项技术。目前遍布全球的自有化生产基地可以提供真正车规级 AEC-Q101 认证的产品。新一代的安世半导体氮化镓（HEMTs），提供业界领先的低导通电阻，更高的开关稳定性，可显著提升动态性能。

安世半导体不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET），提供从 2 kW 到 250 kW的 GaN 应用方案并推向更高的功率水平。在 2021 年第四届中国国际进口博览会上安世发布了第一款 SiC 肖特基二极管产品，使用了高功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）的牵引逆变器；和上海电驱动合作开发的牵引逆变器中通过 GaN 的应用显著提高了开关速度和转换效率，实现高功率密度，缩小逆变器的尺寸、减轻车辆重量，使行驶里程更远。此外，安世持续续改进主力产品—— MOSFET，对于客户而言使用高效的功率半导体比以往任何时候都重要，安世半导体的产品将为节能降耗做出更多贡献，推动早日实现“碳中和”的目标。