5G、人工智能(AI)已是驱动半导体产业成长趋势，随着芯片体积愈来愈小，拥有高速度、高效能的磁性存储器(MRAM)技术已成为主流。在美国国防高等研究计划署(DARPA)支持下，工研院与美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)宣布签署电压控制式磁性存储器(VC-MRAM)合作开发计划，未来将共同开发下一代的磁性存储器，双方将材料元件应用在存储器芯片内进行运算储存，未来可望减少近百倍能耗，提升逾十倍速度。
工研院近年全力投入下时代自旋霍尔式磁性存储器(SOT-MRAM)技术，研发更快、更稳、不失忆的新时代存储器技术，并於2019年在IEEE国际电子元件会议(IEDM Poster)中发表，技术成果已逐步产业落地。
值得一提的是，工研院也与UCLA展开合作，携手开发VC-MRAM。与SOT MRAM相比，VC-MRAM具有更快写入速度，约缩短50%，以及读写能耗可减少75%的特性，适合AIoT及汽车芯片的应用需求。
工研院电光系统所所长吴志毅指出，AI、5G 时代来临，快速处理大量数据的需求暴增，随着摩尔定律持续向下微缩，半导体业者开始寻求成本更佳、速度更快、效能更好的解决方案。由於MRAM拥有与静态随机存取存储器(SRAM)的写入、读取速度，还兼具节能可靠的特色，近年来已成为半导体先进制程、下时代存储器与运算的新星。
工研院多年前就深耕MRAM技术，从元件创新、材料突破、电路优化等方式展开研究，开发出MRAM技术。2022年在DARPA与经济部技术处支持下，与UCLA签订合作开发计划，为工研院首个获得DARPA实际支持的合作案例，双方将深化在VC-MRAM技术的研发，携手将低耗电与可靠度推进到新层次，力助台湾半导体产业抢攻消费性电子、车用电子与AI应用庞大商机。
责任编辑：舒能翊
