2021年12月8日，设计和生产创新性半导体材料的企业Soitec宣布，与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。

Soitec和美尔森在衬底和材料领域有着深厚的积淀。双方将携手开发具有极低电阻率的多晶碳化硅衬底，借助Soitec的SmartSiC™技术，协力优化碳化硅电力电子元件。美尔森位于法国热讷维耶（Gennevilliers）的团队与Soitec位于法国格勒诺布尔（Grenoble）、贝宁（Bernin）的团队将共同主导该项目的进展。同时，CEA-Leti（法国原子能委员会电子与信息技术实验室）旗下的Soitec衬底创新中心也将为该合作提供专业支持，为研究成果的工业化生产护航。

Soitec首席技术官ChristopheMaleville表示：“集双方在材料、半导体领域之所长，我们一同为行业带来性能卓越的多晶碳化硅衬底，为碳化硅电力电子芯片代工厂客户带来规格更高的产品。这种多晶碳化硅衬底能够兼容Soitec的SmartSiC™技术，并已成为我们的关键技术之一，它的电阻极低，节能效果显著，可极大地优化电动汽车能效。”

美尔森首席执行官LucThemelin表示：“此次合作展现了美尔森在多晶碳化硅领域的技术专长，以及强大的客制化能力——能够开发出兼容Soitec技术的产品。相信在双方的共同努力下，我们将为功率半导体行业，尤其是电动汽车市场提供性能及性价比双优的衬底解决方案。”