昨晚（11月11日），无锡新洁能股份有限公司发布公告称，公司拟非公开发行股票，募资不超过14.5亿元，用于建设碳化硅和氮化镓产业化等项目。

新洁能于2013年1月5日成立，于2020年9月28日上市，主要从事MOSFET和IGBT等半导体功率器件的研发与销售。该公司前三季度实现营业收入10.99亿元，同比增长65.05%；归母净利润3.11亿元，同比增长207.83%。

这次公告显示，新洁能募集资金将用于“SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”、“功率驱动IC及IPM研发及产业化”、“SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化”，以及补充流动资金。

其中，“SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化”项目总投资约2.23亿元，拟使用募集资金2亿元，项目建设期24 个月。

而“SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化”项目总投资约5.08亿元，拟使用募集资金5亿元，项目建设期36 个月。

这2个第三代半导体项目的建设地点都在江苏省无锡市新吴区。

其实，新洁能早已在布局第三代半导体项目。根据2020年披露的IPO招股书，当时新洁能拟拟募资10.21亿元，用于建设碳化硅等4个项目。

其中，“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化”项目的投资额为1.14亿元，重点是开发SiC SBD及SiC MOSFET两类产品。

可见，这次募资新洁能加大了第三代半导体项目的投资力度。

据新洁能董事长朱袁正此前介绍，他们公司研发团队自2015年起开展对碳化硅等宽禁带半导体功率器件的研发工作，已开发了“高耐压低损耗碳化硅二极管技术”、“碳化硅功率器件高可靠终端耐压保护技术”、“碳化硅功率器件高雪崩耐量技术”和“碳化硅二极管浪涌电流能力提升技术”等多项SiC宽禁带半导体功率器件核心技术。

而在产业化布局方面，公告显示，新洁能将与国内外的SiC/GaN 芯片代工厂合作，同时，新洁能将新增SiC/GaN的封装测试产线。