Navitas受邀“上汽大众”路演 创新型氮化镓技术脱颖而出
来源:电子发烧友网 发布时间:2019-07-31 分享至微信
氮化镓GaN功率IC为电动汽车和混合动力车提供显著的尺寸和效率优势。
加利福尼亚州EL SEGUNDO—(PRWeb) – Navitas Semiconductor纳微半导体今天宣布受邀参加上汽大众站“Winnovation:Wins In InnovaTIon”路演,该路演于2019年6月28日举行,由上海国际汽车城主办。路演重点关注汽车行业的四个新兴领域:人工智能(AI),网络集成,新能源和信息共享。历经两个月三轮审查,14个项目团队被选出并分为五组:自动驾驶,智能网络,新能源汽车,产品优化和用户体验优化。
Navitas Semiconductor的创新型氮化镓(GaN)技术团队在数百家竞争对手中脱颖而出,并与上汽大众总部的汽车专家和工程师进行了技术讨论。Navitas Semiconductor纳微半导体(中国)区总经理查莹杰(Charles ZHA)表示:“非常感谢上汽大众和上海汽车城的邀请。通过此次活动,Navitas有机会与SAIC大众汽车技术专家就新能源汽车的发展趋势进行沟通,并展示了Navitas的GaNFast技术。
在WinnovaTIon路演中,Navitas Semiconductor纳微半导体应用工程师李宾(Bin LI)博士介绍了用于电动汽车和混合动力车的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器技术:“GaN FET,GaN驱动和GaN逻辑的集成使工程师可以更轻松地通过简单的EMI解决方案进行高频功率转换,同时新的热优化可实现更高功率的设计。使用GaNFast技术,可将能量损耗降低30%,同时开关速度提高3-5倍,减小30%的尺寸和重量,使得车辆实现更快的速度和更长的里程。
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