长鑫存储量产DDR4打破国产零记录、长江存储4年三级跳赶上主流百层NAND，追赶与并肩，被海外企业垄断的存储市场正不断涌现“中国身影”。恰逢全球存储市场景气高企周期，量价齐升背景下，存储国产化进程更是引来一片聚焦。

近日，国产DRAM之光长鑫存储第二期12吋厂房举行了奠基仪式，据悉，这座新厂房是为将来进入1y nm以下工艺节点（接近15nm工艺）所做的前期准备。