1.总投资50亿元，功率半导体IDM芯片项目落户杭州萧山
2.全球首台！苏大维格大型紫外3D直写光刻设备下线
3.华天科技：集成电路和大功率器件产量234.33亿只，同比增长26.11%
4.一期总投资15亿元，江苏亚电集成电路高端湿法装备总部项目落户无锡
5.基于硅光子技术的高速光通信芯片企业，赛勒科技完成新一轮数千万元融资
6.公开课第31期笔记：锐成芯微：打造多样化eNVM IP，让SoC平台选择更从容
1.总投资50亿元，功率半导体IDM芯片项目落户杭州萧山
集微网消息（文/图图）7月24日，总投资50亿元的功率半导体IDM芯片项目签约仪式在浙江杭州萧山经济技术开发区举行。
图片来源：萧山经济技术开发区
萧山经济技术开发区官方消息显示，随着客户及需求的不断增加，（项目方）现有晶圆厂已经不能满足企业的产能需求，此次项目在萧山经济技术开发区的落地，将打造一个全新的集功率芯片设计、晶圆制造、封装测试的全产业链功率半导体IDM制造基地。
值得注意的是，萧山经济技术开发区并未公开IDM项目方的信息。
杭州萧山区在集成电路领域早有布局。
几年前，萧山区曾发布《关于发展信息经济促进智慧应用三年行动计划（2016—2018年）通知》指出，将依托华澜微在国内集成电路设计细分领域的优势地位，吸引国内外知名集成电路设计上下游企业入驻，大力发展涉及移动支付、工业控制、数据中心等多个领域的芯片设计产业，努力建设成为国产集成电路芯片设计基地。
2019年8月，杭州市重点打造的首个集成电路产业集聚园区——杭州集成电路设计产业园在杭州萧山区正式揭牌。（校对/小北）
2.全球首台！苏大维格大型紫外3D直写光刻设备下线
集微网消息（文/小如）据苏大维格官方透露，大型紫外3D直写光刻设备iGrapher3000，在苏大维格科技集团下线，并投入工业运行。
iGrapher3000主要用于大基板上的微纳结构形貌的3D光刻，是新颖材料、先进光电子器件的设计、研发和制造的全新平台。
图片来源：苏大维格
iGrapher3000此次安装在维业达科技有限公司黄光车间，首个工业应用项目是大尺寸透明导电膜的深槽结构微电路模具，并将用于大面积平板成像、柔性导电器件和全息显示与3D显示研发和产业化应用。
苏大维格主要从事微纳关键技术、高端智能制造设备和功能材料的创新应用，是首批认证的国家高新技术企业。其光刻仪器事业部研制了多种用于MEMS芯片的光刻设备MiScan200（8”~12”）、微纳光学的MicroLab（4”~8”）和超表面、裸眼3D显示、光电子器件研究的纳米光刻设备NanoCrystal（8”~32”）。
2020年1月10日，在国家科技奖励大会上，苏大维格承担的“面向柔性光电子的微纳制造关键技术与应用”成果，获国家科技进步奖二等奖。（校对/小北）
3.华天科技：集成电路和大功率器件产量234.33亿只，同比增长26.11%
集微网消息（文/图图）7月26日，庆祝华天集团成立十四周年表彰大会暨文艺晚会举行。会上，华天科技集团董事长肖胜利表示，2020年上半年，集团积极开展疫情防控，努力做好复工复产，完成集成电路和大功率器件产量234.33亿只，同比增长26.11%；完成销售开票47.23亿元。
图片来源：天水华天科技
据悉，在市场需求持续增长的背景下，华天科技也持续扩大其产能规模。（校对/小北）
4.一期总投资15亿元，江苏亚电集成电路高端湿法装备总部项目落户无锡
集微网消息（文/图图）7月27日，江苏亚电集成电路高端湿法装备总部项目签约仪式在无锡高新区举行。
图片来源：无锡高新区在线
无锡高新区在线消息显示，该项目一期计划总投资15亿元，注册资本5000万元，预计2022年营收5亿元。亚电科技计划在独立法人注册后三年内启动科创板上市工作，并将上市主体放在高新区，预计市值超100亿元。上市后计划建设项目二期，用于研发中心的扩张和新品试制基地。
此外，亚电科技还计划在无锡高新区设立独立法人，作为公司研发、测试、销售总部，招聘本土和国外技术及研发人才，建立12英寸及以上湿法刻蚀清洗设备的研发、测试、销售中心。
亚电科技官方消息显示，江苏亚电科技有限公司成立于2019年3月26日，是半导体晶圆行业湿法制程服务商，专注于晶圆前道湿法刻蚀清洗技术，是国内首批推进半导体高端设备国产化的企业之一。目前公司的主营业务有湿法刻蚀清洗设备和半导体厂务工程，拥有泰州和无锡两个基地。（校对/小北）
5.基于硅光子技术的高速光通信芯片企业，赛勒科技完成新一轮数千万元融资
集微网消息（文/依然）近日，南通赛勒光电科技有限公司（简称：赛勒科技）宣布完成新一轮数千万元融资，领投方为新一代技术型VC耀途资本，本轮融资将主要用于技术迭代与量产上线。
赛勒科技成立于2018年3月，是一家硅光芯片及产品解决方案提供商，重点开发基于硅光子技术的高速率、小型化、低成本、低功耗的高速光通信芯片，旨在为数据中心、无线5G网络、传输网等领域客户提供高性价比的光通信芯片解决方案。
据耀途资本官方消息，赛勒科技核心成员均来自世界著名高校研究所、一流公司等世界上最早开发硅光子的队伍，比如麻省理工学院、中国科学院、朗讯Lucent（原AT&T实验室）以及Finisar等。赛勒科技创始人、董事长兼CEO甘甫烷本硕毕业于上海交通大学，博士毕业于麻省理工学院。麻省理工学院在硅光子有几十年的积累，是世界上最早进行硅光子研究的队伍，成功孵化了多家硅光子公司。
从2009年开始，甘甫烷担任中科院上海微系统与信息技术研究所研究员，建立了硅光子研究组。在此期间，他主持了国家重点研发计划、中科院战略先导项目、上海市科技重大专项硅光子专项等多个项目。甘甫烷同时还是一位连续创业者，在赛勒科技之前，他曾先后在美国、中国创立两家光电企业，后者成功在新三板上市。
光器件未来的主流发展方向是硅光子技术。硅光子技术将传统产品的多个分立器件集成在单一芯片上，简化了封装过程，良品率也得以提升。同时，硅芯片可以集成多个传输通道，将推动硅光子解决方案在短距离NRZ/PAM4高速光通信、长距离高速相干通信等光通信领域更广泛的应用。（校对/图图）
6.公开课第31期笔记：锐成芯微：打造多样化eNVM IP，让SoC平台选择更从容
集微网消息 集微直播间自开播以来获得了大量来自行业的关注与好评。其中“集微公开课”栏目联合行业头部企业，通过线上直播的方式分享精彩主题内容，同时设立直播间文字提问互动环节。集微网希望将“集微公开课”栏目打造成中国ICT产业最专业、优质的线上培训课程，深化产教融合，助力中国ICT产业发展。
第31期“集微公开课”于7月28日（周二）上午10:00直播，邀请到成都锐成芯微科技股份有限公司器件研发总监王明博士，带来以《ACTT多样化嵌入式存储IP，让SoC平台选择更从容--逻辑工艺和特种工艺上的嵌入式eNVM方案》为主题的精彩演讲。
随着5G、AI、物联网等技术的发展，在应用层面，像消费电子、工业、汽车、数据中心等领域的存储技术在不断演进；芯片技术发展方面，摩尔定律的演进也对存储技术提出了更高的要求。
面对多样化的存储市场需求，需要产业链上下游企业以丰富的产品矩阵来应对。
成都锐成芯微作为本土IP提供商，面向全球客户不仅可提供专业、丰富的超低功耗模拟IP、数模混合IP，还可向客户提供多样化、高可靠性eNVM解决方案。
后摩尔定律时代特色工艺对eNVM的需求
伴随着摩尔定律接近物理极限和研发成本限制，开始向后摩尔定律时代发展。
成都锐成芯微器件研发总监王明博士指出，在后摩尔定律时代，器件价值、性能的提升，已经不完全依靠工艺制程的提升，而是通过增加模拟/射频、高压电源以及各种传感器、驱动器等多种功能实现，SiP、SoC已成为业界公认的提升途径。
从存储角度来看，SiP Flash因为I/O toggle，一般耗电比SoC多30%；SiP Flash需要将数据拷贝到SRAM里面，上电时间较长；速度方面，SoC可支持的带宽是x16/x32/x64/x128，不受PIN脚限制；SoC在安全性、可靠性方面高于SiP。
王明博士表示，尽管从成本角度来看SiP可能优于SoC，但综合看SoC有着相当大的市场需求。相应的SoC中的嵌入式存储方案需求也是日益增长。
SoC中eNVM嵌入式非易失性存储器，根据应用领域其主要功能分为6类，即身份信息、安全密钥、参数设置、固件代码、功能选择与修正。
特色工艺产品与应用场景密切相关，不同的特色工艺对NVM都有着不同需求。王明博士分享中介绍了一些特色工艺，包括 : NVM工艺、 BCD工艺、HV工艺、CIS工艺、MEMS工艺等。
特色工艺平台上如何实现eNVM方案
eNVM是在逻辑工艺平台的基础上开发的特殊工艺，通过这种工艺生产出带有非挥发存储器模块的芯片。eNVM凭借其能耗低、非易失性、密度高、延迟低等优点也愈发受到市场的青睐。
MTP、OTP、eFlash、poly-fuse、ROM是较为常见的嵌入式存储方案。成都锐成芯微针对特色工艺上不同的应用场景和需求，把公司的技术进行分类，包括ACTT LogicFlash、ACTT OTP、ACTT LogicFlash Pro、ACTT eFuse等，可为客户提供一站式的eNVM解决方案。
王明博士着重介绍了LogicFlash技术，其特点为容量大、面积小、成本低、擦写次数超过一万次，可满足严格的汽车电子认证标准。该技术与CMOS逻辑工艺、BCD工艺完全兼容，做无须增加光罩的情况下，可为客户的SOC提供小面积、高密度、低功耗、高可靠性、高速读写的嵌入式储存技术。
据悉，目前，成都锐成芯微在NVM储存器上拥有多项专利，并开发了与多种不同特色工艺，兼容40nm/55nm/90nm/0.11um/0.18um上的OTP/MTP/Flash解决方案。
多样化的eNVM方案满足不同应用需求
成都锐成芯微的eNVM IP已广泛应用在MCU、PMIC、RF SoC、Analog IC以及汽车电子等应用领域，其优良的性能和高可靠性深受客户信赖。
王明博士例举了成都锐成芯微具有代表性eNVM方案在不同特色工艺上的应用实例，例如：基于RF工艺的光通信芯片、基于Green工艺的电子烟专用MCU芯片、基于混合工艺的VCM驱动 AF/OIS控制器、基于BCD工艺的汽车电子的锂电池芯片等应用实例。
在汽车电子锂电池芯片方面，基于成都锐成芯微0.18um BCD工艺平台的方案，可满足客户对高可靠性的需求，可达到汽车电子Grade-1级别；数据可编程/擦除次数达1万次以上；eNVM主要用于存储代码，容量4K*8bit。
在音频芯片方面，成都锐成芯微提供的基于0.11um HV工艺平台的方案，可满足客户对IP面积要足够小；写电压支持4～7V；eNVM主要用于trim，容量2*16bit等需求。
在VCM驱动 AF/OIS控制器方面，基于0.11um 混合工艺的eNVM方案，具有宽电压域操作, 1.2/3.3v双电源供电、待机低功耗等特点；eNVM主要用于code storage，容量2K16。
在电子烟专用MCU芯片方面，基于0.153um Green工艺eNVM方案，可满足产品减少光罩层次，低成本；5V单电源供电；eNVM主要用于代码存储，容量2K*8bit等需求。
通过不断加大研发投入，优化设计，成都锐成芯微eNVM方案在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力方面都具有突出优势，同时在保持高性能的条件下，不断提升成本竞争力。
王明博士表示，目前，成都锐成芯微的eNVM技术已同国内外众多家晶圆代工厂展开合作，在几十个工艺节点上完成硅验证，覆盖从55nm-180nm多个工艺节点，Logic/MS、BCD、HV、SiGe等多种工艺平台，同时，和众多国内外芯片设计公司达成合作协议，支持客户的新产品导入及量产。
（校对/kaka）
