硅光子技术是基于硅材料，利用现有CMOS工艺进行光器件开发与集成的新一代通信技术。硅光子技术的核心理念是“以光代电”，将光学器件与电子元件整合到一个独立的微芯片中，利用激光作为信息传导介质，提升芯片间的连接速度。

　　硅光时代临近，芯片集成度有望大幅提升

　　近年来，随着物联网、大数据等应用的快速发展，全球数据流量呈快速增长态势，对传输的需求也逐渐提升。目前，传统光模块主要利用III-V族半导体芯片、电路芯片、光学组件等器件封装而成，本质上属于“电互联”范畴。随着晶体管加工尺寸逐渐缩小，电互联将逐渐面临传输瓶颈。目前，对于传统的三五族半导体光芯片，25Gbps已接近传输速率的瓶颈，进一步提升速率需要采用PAM4等技术。随着高速光模块在数据中心的大量运用，传统III-V族半导体的光芯片将面临并行传输、三五族磊晶成本高昂等问题。在此背景下，硅光子技术应运而生，成为III-V族半导体之外的一大选择。

　　在硅光子技术中，芯片的概念由原先的激光器芯片延伸至集成芯片。从结构上看，硅光芯片包括光源、调制器、波导、探测器等有源芯片及源芯片。硅光芯片将多个光器件集成在同一硅基衬底上，一改以往器件分立的局面，芯片集中度大幅提升。硅光子技术主要有以下三大优势：

　　(1)集成度高。硅光子技术以硅作为集成芯片的衬底。硅基材料成本低且延展性好，可以利用成熟的硅CMOS工艺制作光器件。与传统方案相比，硅光子技术具有更高的集成度及更多的嵌入式功能，有利于提升芯片的集成度。

　　(2)成本下降潜力大。在光器件和光模块中，光芯片的成本占比较高。传统的GaAs/InP衬底因晶圆材料生长受限，生产成本较高。近年来，随着传输速率的进一步提升，需要更大的三五族晶圆，芯片的成本支出将进一步提升。与三五族半导体相比，硅基材料成本较低且可以大尺寸制造，芯片成本得以大幅降低。

　　(3)波导传输性能优异。硅的禁带宽度为1.12eV，对应的光波长为1.1μm。因此，硅对于1.1—1.6μm的通信波段(典型波长1.31μm/1.55μm)是透明的，具有优异的波导传输特性。此外，硅的折射率高达3.42，与二氧化硅可形成较大的折射率差，确保硅波导可以具有较小的波导弯曲半径。