宜普电源转换公司(EPC)将于APEC 2020展览会展示氮化镓(GaN)技术推动了多个行业的功率传输转型
来源:电子产品世界 发布时间:2020-03-05 分享至微信

EPC团队将于3月15至19日在美国新奥尔良(New Orleans)举行的APEC 2020展览会上,进行11场关于氮化镓技术及应用的演讲 (参考下方图表)。此外,EPC展位(#1847)也会有多个终端客户最新的、基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的产品亮相。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202003/410626.htm

48 V DC/DC转换器

在展会上,EPC将发布ePower

TM
 Stage系列集成电路,在单一硅基GaN芯片上集成了所有功能,为行业重新定义功率转换。氮化镓技术专家将展示ePower
TM
 Stage及分立式氮化镓器件如何能够提升48 V功率转换器的效率、缩小其尺寸及降低系统成本。该48 V转换器面向超纤薄并且具有高功率(可高达250 W)的笔记本电脑、具有高功率密度的服务器及人工智能系统,以及汽车系统等应用。

激光雷达/飞行时间

此外,EPC将展出多个激光雷达应用,使得我们看到氮化镓技术如何支持短距及长距激光雷达传感器。展示包括用于长距离检测的直接飞行时间(DToF)系统,可在低于2.5 纳秒提供超过100 A的电流。

而用于短距离检测的间接飞行时间(IToF)系统则可在低于1.2纳秒的脉宽提供8 A脉冲电流。此外,EPC已有多家终端客户的系统已经投产,针对包括全自动驾驶汽车、自动化仓库、无人机及吸尘机等应用。

马达驱动器

EPC并将介绍如何以GaN单芯片支持电动滑板车的马达供电。ePower™ Stage器件应用于三相正弦激励,马达驱动器的每相具10 A

RMS
,可实现高效、宁静、高性能及低成本的电动汽车解决方案。 

无线电源

在无线电源充电方面,随着物联网行业的迅速发展,全新的连接及传感器件如果需要符合5G的要求,可靠及安全的无线供电不可或缺。EPC将展示支持5G的高效无线电源解决方案,可穿透e-glass及墙壁,传输高达65 W的电源。

有兴趣在APEC展位与EPC的应用专家会面的工程师,欢迎您莅临我们的客户套房,请于网上填写及提交表格,网址是epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx 。

在展会上,EPC也同时进行11场专题演讲,议题是关于氮化镓技术及集成电路的技术发展。详情如下:

3月17日星期二

§   氮化镓功率器件的前进步伐势不可挡

演讲者 : Alex Lidow博士

时间 : 9:20 am–9:45 am (IS04、地点R06)

§   硅器件已经死亡、分立式器件则正在步向死亡

演讲者 : Alex Lidow博士

时间 : 3:00 pm – 3:15 pm (Ridley Engineering Presents、展位号:1517)

3月18日星期三

§   采用氮化镓器件的低成本飞行时间(ToF)

演讲者 : John Glaser博士

时间 : 8:30 am – 8:55 am (IS08、地点:R02-R03)

§   采用氮化镓场效应晶体管及数字控制器的超纤薄型48 V - 20 V、250 W DC/DC转换器

演讲者 : Jiangjing Wang博士

时间 : 9:20 am – 9:45 am (IS07、地点R04-R05)

§   基于氮化镓场效应晶体管的三级同步降压转换器的优化设计

演讲者 : Jiangjing Wang博士

时间 : 9:50 am – 10:10 am (T12、地点:206-207)

§   eGaN

®
技术及功率转换的未来

演讲者 : Alex Lidow博士

时间 : 1:00 pm – 1:30 pm (Exhibitor Seminar、Theater 1)

3月19日星期四

§   氮化镓(GaN)器件进行极其严谨的可靠性及失效测试方法

演讲者 : Alex Lidow博士

时间 : 8:30 am – 8:55 am (IS23、地点: R07)

§   面向高频功率转换器的单片式氮化镓(GaN)半桥集成电路

演讲者 : Jianjing Wang博士

时间 :  8:55 am – 9:20 am (IS19,、地点: R04-R05)

§   功率转换领域的系统单芯片(SoC)的发展路径–one GaN Stage at a time

演讲者 : Ravi Ananth博士

时间 :  9:45 am – 10:10 am (IS20、地点:R02-R03)

§   面向激光雷达照相机及其它低压、超高频、超快速脉冲功率应用的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

演讲者 : John Glaser博士

时间 :  1:45 pm – 2:10 pm (IS26、地点:R02-R03)

§   氮化镓集成电路可快速去除技术壁垒

演讲者 : Ravi Ananth博士

时间 :  2:10 pm – 2:35 pm (IS30、地点:R08)

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