受终端各应用部门对存储器产品需求疲弱的影响，2015年第4季韩国第二大存储器厂商SK海力士(SK Hynix)营收仅达4.4兆韩元，较前季4.9兆韩元衰退10%，亦较2014年同期衰退14%。

　　在产品价格下滑、出货状况不如预期，加上营业费用占营收比重攀升等影响，2015年第4季SK海力士税后净利仅达8,710亿韩元，较前季1兆韩元衰退16.9%，不仅获利表现不如预期，也是自2014年第4季以来连续4季衰退。

　　2015年第4季SK海力士DRAM部门受到PC与移动装置需求疲弱影响，位元出货量较前季下滑1%，平均销售单价更是下滑10%，NAND Flash亦在来自移动装置需求疲弱的情况下，位元出货量成长趋缓，仅达4%，但平均销售单价较季大幅下滑15%，这也使得当季SK海力士来自DRAM营收达3.3兆韩元，季衰退10%，来自NAND Flash营收达9,720亿韩元，季衰退幅度亦为10%。

　　2015年SK海力士全年营收达18.8兆韩元，较2014年17.1兆韩元年成长10%，但受到产品价格下滑与营业费用上升影响，全年税后净利仅达4.3兆韩元，仅较2014年4.2兆韩元成长3%。

　　DIGITIMES Research估算，2015年SK海力士的DRAM元位出货量年成长幅度23.4%，较2014年33%成长趋缓，但在同期间DRAM平均销售单价下滑影响下，来自DRAM营收达14.1兆韩元，年成长幅度仅达6%。

　　2015年SK海力士NAND Flash位元出货量年成长幅度62.6%，同期间平均销售单价下滑幅度超过30%的影响下，来自NAND Flash营收达4.1兆韩元，年成长幅度24%，为营收成长的重要动力。

　　2016年全球存储器市场需求持续成长

　　无论DRAM或NAND Flash市场，在全球景气依然不佳影响下，加上无论PC或移动装置市场亦都处于淡季，SK海力士对2016年第1季存储器市场展望相对保守。

　　展望2016年DRAM市场，在PC全年出货量衰退幅度趋缓的预期下，越来越多PC支持DDR4，使得PC单机搭载DRAM位元需求量提升，智能型手机与伺服器也将朝高容量产品方向移动，SK海力士预估2016年全球DRAM需求量将出现21~23%成长幅度。

　　至于2016年NAND Flash市场，虽然面临来自手机市场需求减缓，但在SSD对笔记型电脑市场渗透率提升，加上SSD本身也朝高容量产品方向移动，预估2016年全球NAND Flash需求量将出现37~39%成长幅度。

　　面对竞争日益激烈的全球存储器市场，在DRAM市场方面，SK海力士除将2z奈米世代制程导入DDR4与LP DDR4的量产外，也将加速1x奈米制程技术的研发。至于在NAND Flash市场方面，除将NAND Flash制程升级至14奈米制程外，也将持续投入3D NAND技术研发，计划将由MLC 3D NAND延展至TLC 3D NAND。