TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²-icspec

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²

来源:电子产品世界发布时间:2020-09-23

分享至微信

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n沟道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK

1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202009/418674.htm

日前发布的TrenchFET

第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %，FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的MOSFET，节省PCB空间，或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流，包括通信设备、计算机外设、消费电子；笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光；以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。