市场调研机构IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型闪存销售额都将创出历史新高，而DRAM和NAND闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计，2017年DRAM出货量同比下降，而NAND闪存也仅增长2%，闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用，但并非主要原因。

　　存储器价格上涨始于2016年第二季度，到2017年上半年为止，每季度价格都持续向上走。如图所示，从2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM价格季度平均增长率为16.8%，NAND闪存价格季度平均增长率为11.6%。

　　从2016年第三季度DRAM平均售价疯涨开始，DRAM制造商又开始步入加码投资周期，不过这一轮DRAM厂商投资大部分都花在了升级技术方面，并没有盲目扩充产能。

　　IC Insights判断，2017年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在3D NAND工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能，2017年三星在NAND闪存上的资本支出将同比大幅上升。

　　从历史数据来看，价格上涨周期带来的投资扩产冲动，通常会造成产能过剩，产能过剩程度越高，将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪、武汉新芯/长江存储，以及可能出现的中国资本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的3D NAND生产计划，未来几年3D NAND闪存产能出现过剩的概率非常高。

　　IC Insights收集的数据显示，DRAM的平均售价增长率峰值出现在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，涨势都很强劲。该机构预测，2017年第三季度DRAM价格还能维持些许涨势，但第四季度将出现微跌，标志这轮涨价周期即将终结。

　　虽然2017年下半年DRAM涨势趋缓，但IC Insights预计全年涨幅仍将达63%，这是自该机构从1993年开始追踪DRAM市场数据以来的最高涨幅，此前记录是1997年的57%。

　　NAND闪存2017年价格涨幅也将创纪录地达到33%。不过，在2000年，NOR型闪存还主导市场时，其平均售价一年涨幅达到了52%。