近日，紫光集团董事长赵伟国对公司的未来发展提出了两大目标：一是希望到2020年时，能在移动芯片领域大幅缩小与全球两大手机芯片商高通和联发科的距离;二是紫光要在十年内跃身成为全球前五大存储器制造商。

　　对于紫光而言，第一个目标的实现相对来说比较容易，毕竟自收购此前在美国上市的展讯和锐迪科之后，紫光在手机芯片设计领域的成就是有目共睹的。

　　不过，作为存储器市场的“新人”，紫光一直属于追赶者，但经过近几年来的战略布局，紫光在存储器领域的发展成功引起了业内的关注，尽管实现全球前五的目标难度不小，但也不是不可能。那么，赵伟国离这一梦想的实现究竟还有多远呢?

　　对外并购受阻 内部整合加速

　　从此前的国内发展到逐渐在全球市场上崭露头角，再到如今的多起行业并购，近年来，紫光为发展集成电路产业开启了高速扩张模式，“买买买”的发展战略也受到业界高度关注。

　　不过，随着收购存储器大厂美光、入股硬盘大厂西部数据、入股台湾封测厂商力成、矽品和南茂这一系列投资并购案的悉数破局，紫光的对外并购投资策略频频受阻。

　　但这并不影响紫光发展存储器产业的决心，不仅于2016年9月与西部数据成立了合资企业紫光西数，进军大数据存储领域，同时还加速了紫光系内部资源的整合。

　　事实上，今年3月份，紫光间接控股子公司紫光国芯就曾以4836万元的价格收购了国内具有世界主流大容量存储器核心设计开发技术公司西安华芯半导体公司(现已更名为“西安紫光国芯”)24%的股权。

　　4月中旬，紫光系内部整合计划再次发布，紫光国芯宣布拟以发行股份的方式收购紫光旗下子公司长江存储全部或部分股权。

　　短短几个月时间，紫光系已经先后宣布了两项内部整合计划，且都是在存储器领域，无疑，这样的整合方式有利于紫光在存储器领域攥紧成拳、形成合力。

　　技术产能全力追赶

　　由于具备性能和成本优势，目前3D 堆叠技术备受业内追捧，已经逐渐发展成为NAND Flash领域的主流制程。

　　大部分原厂也开始将产能从2D 转向 3D，包括三星、东芝/西数、SK海力士等在内的国际大厂，都已量产48层堆叠3D NAND Flash产品，但在更高堆叠层数的研发上，只有SK海力士发展较为迅速，已经研发出72层3D NAND Flash产品。

　　东芝/西数阵营的64层3D NAND Flash产品预计最快也要到今年5月底才能量产，三星64层产品则要到今年7月才能进入生产阶段。至于美光，目前该厂商的3D NAND Flash产品仍以32层堆叠为主，产出比重超过50%。

　　紫光作为国内存储器产业发展的龙头，自然也不会错过这次机会。事实上，在3D NAND Flash的技术研发方面，紫光的起点虽然较低，但速度还是较快。

　　有消息称，长江存储计划在今年年底提供32层堆叠3D NAND Flash闪存样品，然后继续开发64层堆叠。

　　而在产能扩张方面，紫光更是毫不“手软”。

　　2016年7月，紫光将当时承担国内NAND Flash拓荒重任的武汉新芯纳入麾下，并且成立了长江存储。其中包括建造3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash工厂，预计到2020年实现月产能30万片12寸晶圆，到2030年月产能提升至100万片。

　　此后，紫光开始大刀阔斧地投资建厂，董事长赵伟国曾在“2016年十大经济年度人物”颁奖典礼上表示，今年将在成都和南京打造两座半导体产业基地，总投资规模达460亿美元。

　　资料显示，南京半导体项目建成后将主要用于3D NAND Flash以及DRAM存储器芯片的生产，首期投资约为100亿美元，规划月产能10万片每月。

　　至于成都方面，4月22日，紫光总投资不低于2000亿元的IC国际城项目已经正式落户成都天府新区，其中就包括200亿美元左右的12寸晶圆厂，虽然目前尚不清楚该工厂的具体用途，但从紫光近期的发展布局来看，很有可能也是用于3D NAND Flash产品的生产。

　　此外，在人才计划方面，紫光已经向全球存储器高端、专业人才发出了招募计划，包括前华亚科董事长高启全、总经理梅国勋、联电前CEO孙世伟等在内的行业大咖都已经加盟紫光。

　　所以，综合来看，不管是从产业布局，还是技术研发，紫光都已经拿到了与国际大厂PK的入场券，至于能否实现十年内进入全球存储器前五的目标，还需拭目以待。