美光扩建NAND闪存工厂但不增产 128层闪存有重大变化
来源:EETOP易特创芯 发布时间:2019-08-16
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日前美光公司在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典,包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。
除了美国本土之外,美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂,2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心,又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力,新盖了无尘室等生产设施,提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。
不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下,美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂,但并不打算增产NAND,通过资本开支调整、技术转换等方式,Fab 10厂区的总产能不变。
美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化,目前96层堆栈的3D闪存已经量产,而在第四代3D闪存上会有重大变化,128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。
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