除了美国本土之外，美光公司在新加坡有编号Fab 10的NAND工厂，2016年又在新加坡成立了NAND卓越中心，又扩建了Fab 10晶圆厂的生产能力，新盖了无尘室等生产设施，提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性。

不过在目前NAND闪存价格持续下滑的情况下，美光虽然扩建了新加坡的Fab 10A工厂，但并不打算增产NAND，通过资本开支调整、技术转换等方式，Fab 10厂区的总产能不变。

美光CEO Sanjay Mehrotra还提到了美光NAND闪存路线图的变化，目前96层堆栈的3D闪存已经量产，而在第四代3D闪存上会有重大变化，128层堆栈闪存将会从此前的FG浮栅极技术转向RG替换栅极技术。