东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功
来源:EETOP易特创芯 发布时间:2019-12-26 分享至微信
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。
MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用:
汽车设备
电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻:
RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25°C)

器件型号
XPH4R10ANB
XPH6R30ANB
极性
N沟道
绝对最大额定值
漏源极电压
VDSS
(V)
100
漏极电流
(DC)
ID
(A)
70
45
漏极电流
(脉冲)
IDP
(A)
210
135
沟道温度
Tch
(℃)
175
漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
@VGS=6V
6.2
9.5
@VGS=10V
4.1
6.3
沟道至外壳热阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
(℃/W)
0.88
1.13
封装
SOP Advance(WF)
产品系列
U-MOSVIII-H
U-MOSVIII-H

注释:
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。

如需了解有关新产品的更多信息,请访问以下网址:
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息,请访问以下网址:
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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