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来源:达普IC芯片交易网发布时间:2008-06-27467浏览
询问 AINJG1134HA8具有以下特征:
设有旁通电路,在强电场下仍可保持信号的稳定接收具有低噪声(NF=1.2dB typ.)特性,有助于提高信号接收的灵敏度采用GaAs HEMT工艺,达到更高线性度(P-1dB(IN)=-5.0dBm,IP3=+5.0dBm typ.)内置ESD保护元件,对ESD具有高耐压特性。最适用于内置1SEG信号接收器的小型便携式终端。新日本无线于2008年3月开始发放NJG1134HA8样品,2008年4月开始正式投入生产,投产后预定月产量为50万只。样品价格为100日元。新闻来源:ic72,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。
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