半导体巨头 Intel 在“先进工艺”上的“新动作”有哪些？

作为全球技术最先进的厂商之一，英特尔在10nm工艺上的一再拖延已经让业界对其Tick－Tock更新频率的质疑，乃至担心摩尔定律是否继续延续。但日前，Intel一口气推出了10nm的各项细则，并对10nm寄于了厚望，也发布了22nm FDSOI工艺，叫板Globalfoundries。我们来看一下全球半导体巨头的“大动作”。

提议的晶体管密度度量方法

英特尔今年将开始制造10nm芯片，它提出了一种引领行业晶体管密度度量方式，迫使竞争对手采用。另外，它宣布推出一款22nm低功耗FinFET（鳍式场效应晶体管）节点，通过全耗尽型绝缘层上硅技术（FD－SOI）与Globalfoundries等对手竞争代工业务。

英特尔的10nm工艺每平方毫米将封装10080万个晶体管。据估计，目前台积电和三星生产10nm工艺，晶体管密度只有它的一半。

英特尔度量方法的平均密度是指小型和大型逻辑单元的密度。具体而言，它使用的是有两个有源栅极的双输入与非单元，以及一个有多达25个有源栅极的扫描触发器单元。

工艺架构与整合的资深研究员兼总监Mark Bohr说：“我认为这是一个全面、量化和诚实的指标。我认为，台积电和三星过去曾采用它，但我猜他们不太好再用这个度量了。”

乘法门间距和单元高度的现有度量体现了节点相对数量的增加，而不是节点能力绝对数值的提升。此外，它不包括英特尔提出的密度度量方法所包含的各种因素。Bohr补充道。

（原文对照：The existing metric of multiplying gate pitch and cell height gives a relative advance between nodes， rather than an absolute number of a node’s capability． In addition， it does not include a variety of factors embraced by the density metric Intel proposed， Bohr added．）

无论是哪种度量方法，英特尔表示，都将在今年下半年开始制造10nm Cannonlake芯片，这在它推出14nm工艺的三年后。预计升级10nm工艺将继续着为期三年的节奏，两次年度升级可称为10＋和10＋＋。

英特尔晶圆厂和销售团队执行副总裁Stacy Smith表示：“即使节点之间的升级时间较长，我们也将保持与晶体管曲线相同的成本，我们预计10nm这一代仍将继续这种情况。”

有趣的是，英特尔的14nm＋＋表现出的性能高于它最初的10nm工艺。然而10nm节点可以提供低功耗、高密度。