韩企供货长鑫存储，提前备战DDR6

据Wccftech及韩国媒体ET News援引业内消息，韩国封装基板厂商海成DS（Haesung DS）已将长鑫存储列入其DDR5封装基板的客户名录。
据悉，海成DS已于2026年初完成长鑫存储DDR5基板的验证环节，并在二季度开启小批量供货实现量产创收，预计2027年供货规模将持续提升。截至目前，两家企业均未对外官宣本次合作。
为匹配DDR6等下一代存储基板的市场需求，海成DS正规划中长期产线工艺升级。此前DDR4和DDR5基板普遍采用成本优势突出的卷对卷（Reel-to-Reel）制程；该工艺理论上虽可兼容DDR6生产，但伴随基板线路层数增加，生产效率与盈利水平将持续下滑。为此，海成DS计划导入面板级（Panel）新工艺，该方案可适配下一代存储所需的多层线路架构，既能提升整体产能效率，也可规避高端基板制造瓶颈。
消息显示，海成DS内部正评估面板级产线设备投资计划，投资规模区间约1500亿至2000亿韩元（折合人民币约6.88亿元-9.17亿元）。新设备将落地于昌原工厂现有闲置厂区，无需新增土地与厂房建设，不过该笔投资尚未形成最终决议并对外公布。
当前三星电子、SK海力士以及美光等存储巨头均在全力研发DDR6，行业预判DDR6存储产品将在2028-2029年实现商业化落地。现阶段长鑫存储DDR4、DDR5生产所需基板工艺难度相对更低，同规格DDR5产品性能与SK海力士仍存在一定差距；但从上游基板供应商提前布局DDR6配套方案不难看出，长鑫存储已在稳步推进DDR6量产筹备。业内分析认为，长鑫存储意在通过供应链前置布局与工艺提前打磨，在下一代DRAM市场竞争中，进一步缩小与海外三大存储巨头的技术差距。

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