美光上新LPDDR5X内存，新增三款非二进制容量

据美光科技官方消息，该公司于7月14日正式宣布，对其基于1γ（1-gamma）工艺节点制造的LPDDR5X低功耗内存产品线进行扩充。此次更新主要引入了6GB、12GB以及24GB这三种非二进制容量规格。

在技术特性方面，1γ工艺是美光首个采用极紫外（EUV）光刻技术的DRAM制造节点。得益于该先进工艺，新一代LPDDR5X的封装厚度被压缩至0.61毫米，较前代产品缩减了14%，从而能够更好地适应折叠屏手机及超薄便携设备的内部空间需求。同时，新产品的最高数据传输速率达到了10.7Gbps，相较于上一代9.6Gbps的上限，整体性能实现了约11%的增长。这种更高的带宽表现，足以应对移动端设备在运行本地AI大模型、处理高清图像以及执行沉浸式图形渲染时的高负载压力。

据公开资料显示，与传统的8GB、16GB等二进制配置不同，此次推出的非二进制方案赋予了终端制造商更大的硬件设计自由度。厂商可以根据实际需求灵活组合内存规格，从而有效降低资源冗余。此前，美光已向部分合作伙伴提供了16GB版本的认证样品，并计划覆盖8GB到32GB的完整区间。

这些新款内存不仅持续优化了能效表现，还广泛适用于智能手机、平板电脑、车载计算平台、边缘AI设备等多种应用场景。随着端侧人工智能技术的不断落地，市场对于兼具高带宽与低功耗特性的移动内存需求正持续攀升，而更加丰富的容量矩阵将助力客户打造从入门级到高端旗舰的各类终端产品。