长晶科技牵头，江苏新型功率半导体重点实验室获批

据江苏省科技厅7月11日发布的消息，该省企业主导的重点实验室筹建名单正式出炉。其中，长晶科技作为牵头单位，与南京邮电大学合作共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”顺利入围。

在研发规划方面，该实验室紧扣集成电路产业链自主可控、能源安全以及“双碳”战略等核心导向。针对江苏省“1650”现代化产业体系内新型功率半导体的共性技术难题，研发团队将重点围绕四个领域展开攻关：一是第二代1200V碳化硅（SiC）MOSFET功率器件的产业化与关键技术；二是高功率密度绝缘栅双极型晶体管（IGBT）产品；三是高性能屏蔽栅沟槽（SGT）器件及其封装技术；四是极致芯片级封装（CSP）器件的特性探索。

在合作机制上，该项目将结合长晶科技的集成器件制造（IDM）全产业链资源，并依托南京邮电大学在器件物理、先进封测、集成技术及功率器件等方面的科研团队与学术成果。双方计划通过系统应用集成、智能设计方法学、新型功率器件以及器件理论模型这四个维度的创新协同，构建从基础理论研究、核心技术突破到最终成果产业化的完整闭环，旨在成为高压高频功率半导体原创技术的孵化基地。

针对后续的筹建工作，长晶科技方面表示，将遵循省级重点实验室的相关建设规范来推进各项任务。企业将集中力量突破功率半导体领域的关键核心技术，并加快推动相关科研成果的商业化落地，从而为整个功率半导体行业的技术升级与产业发展提供基础支撑。