下一个DRAM，半导体新印钞机登场

韩国政府将加码布局下一代功率半导体，计划通过“超级创新经济项目”投放5000亿韩元（约22.3亿元人民币）财政资金用于技术研发，吸纳民间资本后项目总规模达7500亿韩元（约4.94亿美元）。
《首尔经济日报》指出，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。韩国业界担忧，倘若无法在这一领域建立核心竞争力，未来对海外企业及相关国家的技术依赖，或将成为自身一大短板。为此，韩国政府牵头启动专项研发，并推动下游应用企业深度参与技术攻关。
韩国政府计划于本月内最终确定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程。韩国副总理兼经济财政部长官具允哲表示，“我们将认真推进结构性改革和超创新经济项目，以发现第二、第三个半导体等未来增长引擎。”
本次研发重点聚焦以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体上。相较于传统硅基半导体，SiC、GaN具备更优异的耐高温、耐高压与高频特性，是提升AI数据中心运行能效的核心器件。
工银瑞信6月研报分析，受成熟制程晶圆产能收缩、AI算力需求激增双重影响，全球功率半导体供需格局趋紧，MOSFET及第三代半导体器件价格持续上行，部分厂商年内已两次调价。AI服务器800V高压直流、固态变压器等新兴应用，进一步拉动高端功率器件需求，SiC、GaN市场正式迈入高速增长阶段。

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