DRAM/NAND：现货暴跌！上游继续涨价

2026年第一季度末，DRAM与NAND市场呈现出“渠道冷、合约热”的极端分化态势。
2026年2月起，DDR5及DDR4现货价格涨幅趋缓。根据近一个月现货市场DDR颗粒及Flash晶圆价格变化，DDR5与DDR4 16Gb现货价格分别下滑约5%。
DDR4 16Gb价格从2025年3月底的3.2美元上涨至2026年3月的74.1美元，涨幅达2,216%；DDR5 16Gb价格从去年同期的5.3美元上涨至37.2美元，涨幅达602%。
随着现货市场价格涨幅过大，下游渠道客户面临巨大压力，终端消费应用难以承接高昂的存储报价。对多数中小型存储厂商而言，现金流紧张，缺乏足够资金用于采购周转。
国内渠道市场3月下旬遭遇降价潮，多款内存模组价格大幅下跌。16GB DDR5模组从2025年底的1,000元人民币高点跌至约700元，32GB套装一个月内缩水27%，从3,000元跌至2,200元。海外市场如亚马逊平台也出现32GB DDR5套装跌幅扩大至30%的现象。
CFM统计显示，近一周国内渠道市场8GB/16GB DDR4跌幅高达25%，其余容量跌幅在10%左右。渠道SSD也受到波及，跌幅在10%以内。业内认为，近期渠道市场价格暴跌主要受前期涨幅过高及市场恐慌情绪影响，消费市场需求转冷，前期囤货方相继在高位抛售，导致现货市场供过于求。近期Google发布的TurboQuant存储压缩技术也引发市场担忧，进一步加剧抛售。
存储行业认为，近期波动属于短期现象。即便现货市场价格见顶回落，目前现货在整体供货中占比已降至很低水平，不会影响主流的合约市场交易。国际原厂以及长鑫存储、长江存储等国内存储厂商并未出现价格松动或抛售情况，各大云服务商争抢长约订单的局面也未改变。
与渠道端疲软形成对比，合约市场表现火热。业内评估，目前原厂官方合约价与现货价仍存在明显价差，第二季度DRAM涨幅将达50%以上，NAND涨势将超过DRAM。市场预计，第二季度整体合约价格环比增长70%~75%。此前涨幅相对滞后的移动终端市场预计也将迎来大幅补涨。
AI应用进入推理爆发增长阶段，高性能SSD需求明显提升，企业级SSD订单需求强劲。业内相关厂商认为，当前NAND合约价上涨具备强劲支撑，原厂将大量产能转向高带宽内存（HBM）与 DDR5，会进一步扩大NAND供给缺口。至于旧制程的DDR3，或是原厂已陆续停产的MLC NAND等产品，价格受主流市场DDR5降价冲击较小，近月仍维持上涨态势。

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