利普思半导体扬州基地开工，聚焦车规级SiC模块生产

近日，无锡利普思半导体有限公司在扬州市江都区举行了扬州生产基地的开工仪式。

该项目一期规划总投资1.8亿元，占地面积32亩，总建筑面积约3.1万平方米。基地将建设办公大楼、研发及测试中心、可靠性实验室以及封装测试工厂，形成全流程功能模块。项目规划总产能为年产300万只IGBT/SiC模块，其中一期将新建2条车规级SiC模块封装测试产线，预计2026年底竣工，2027年3月正式投产，届时可实现年产150万只车规级SiC模块。

为确保生产效率与产品品质，项目将引进100余台套先进设备，包括全自动银烧结机、真空焊接机等，同时导入MES追溯系统，实现产品全生命周期的自动化与数字化管理。今年3月中旬，利普思已完成亿元PreB+轮融资，资金主要用于该基地建设及市场拓展。

利普思成立于2019年，专注于SiC功率半导体模块的设计、生产与销售。公司已开发20种封装类型、超过300个产品型号，送样客户超过500家，产品出口至20多个国家，广泛应用于新能源汽车、电网、储能等领域。