SK海力士联手NVIDIA开发次世代SSD

据韩媒《韩国经济》和ZDNet Korea报道，SK海力士副社长金千成近日在“2025人工智能半导体未来技术大会”上透露，公司正与NVIDIA合作开发基于NAND Flash的次世代SSD。这一合作旨在将服务器用SSD的数据传输速度提升至现有水平的8~10倍，甚至媲美高带宽存储器（HBM）的性能。

金千成介绍，目前双方正以NVIDIA的“Storage Next”和SK海力士的“AI-N P（AI NAND Performance）”项目名义推进概念验证（PoC）。预计到2026年底，将推出基于PCIe Gen6、支持约2500万IOPS（每秒读写次数）的样品。而到2027年底，更有望实现支持1亿IOPS的高性能产品。

目前，数据中心使用的高性能企业级SSD（eSSD）最高IOPS约为300万。这意味着，SK海力士计划推出的AI-N P产品性能将达到现有水平的8~10倍，而第二代产品甚至可能达到30倍以上。金千成还表示，若能成功研发支持1亿IOPS的产品，除了NVIDIA，SK海力士还将与更多AI企业探讨芯片供应合作。

此外，SK海力士还在推进基于高带宽快闪存储器（HBF）的AI-N B（AI NAND Bandwidth）产品。据透露，公司正与SanDisk合作进行AI-N B的标准化作业，预计2026年1月底推出Alpha版本，并于2027年推出样品进行评估。

目前，AI产业主要分为两类：处理庞大数据量的数据中心和注重终端设备高效低功耗的边缘AI。SK海力士正致力于开发满足不同需求的高附加值AI存储器。除了针对AI数据中心的HBM、CXL和AiM产品外，公司还推出了AI-N Family产品线，涵盖AI-N P（性能）、AI-N B（带宽）和AI-N D（容量）三大方向。