信越化学推出12寸GaN基板，可承受超650V高压

日本材料与晶圆制造商信越化学工业针对人工智能数据中心的需求，开发出一种新型12寸基板材料，用于制造氮化镓（GaN）功率半导体，以提升电力控制效率。

据日经新闻（Nikkei）报道，信越化学推出的「QST基板」采用氮化铝等材料制成，作为GaN层外延生长的基底。GaN层越厚，能够承受的电压越高。2024年9月，该公司已开始出货12寸GaN结晶外延生长用复合材料基板的样本。

信越化学与比利时半导体研究机构Imec合作，利用12寸QST基板制造的GaN晶体管成功承受了超过650伏特的高电压，并已完成验证。高耐压功率半导体能够减少电流并抑制电力损耗，有助于解决AI数据中心的高能耗问题，同时在电动车车载充电器领域也有广泛应用前景。

信越化学计划在未来2至3年内建立12寸基板的量产体系，并与Imec合作进一步提升产品性能，目标是使产品能够承受1200伏特以上的高电压，从而扩大其应用范围。这一技术的突破将为节能和高效电力控制提供重要支持。