【新品发布】海川SM5501-5.8mΩ超低内阻MOSFET赋能50A大电流快充设计

SM5501凭借其超低导通电阻和快速开关特性，成为负载开关和电池保护应用的理想选择。在负载开关应用中，其5.8mΩ的RDS(ON)可显著降低功率损耗，提升系统效率；50A的最大电流能力确保能够处理大电流负载切换。

在电池保护电路中，SM5501的30V耐压为锂电池组提供安全裕量，快速响应特性可及时切断过流或短路故障，有效保护电池安全，延长电池寿命。其低栅极电荷（12.8nC）确保快速开关，减少切换过程中的功率损耗，是BMS（电池管理系统）和负载管理电路的优选器件。

技术亮点：

1、先进的沟槽技术：更高单元密度，实现更优RDS(ON)面积比

2、封装创新：PDFN3.3*3.3在紧凑尺寸下提供卓越的热性能和电流能力

3、全面测试：100%雪崩和DVDS测试确保产品一致性

SM5501采用先进的沟槽技术，在超小封装内,在VGS=10V、ID=20A条件下，实现了惊人的5.8mΩ超低导通电阻。这意味着在20A电流下，其导通损耗比同类产品降低15-20%！

更令人印象深刻的是，这款MOSFET具备50A最大电流和184A脉冲电流能力，配合仅6.2℃/W的结壳热阻,让高功率快充设计不再为散热问题所困扰。

SM5501凭借其5.8mΩ超低导通电阻，为大电流快充应用带来革命性突破。在20A工作电流下，导通损耗较同类产品降低15-20%，显著提升系统效率。其50A最大电流能力确保支持最新快充协议的大电流需求，即使是36W QC Class B或20V高压输出也能轻松应对。

快速开关特性（tr=10.8ns, tf=9.6ns）使SM5501特别适合高频开关电源设计，有效减少开关损耗，提升系统响应速度。结合低栅极电荷（12.8nC）特性，大幅降低驱动损耗，为高效率快充设计提供坚实基础。

SM5501不仅是高性能的功率MOSFET，更是海川半导体电源生态系统的重要组成部分。通过与海川半导体其他芯片优化组合，为客户提供：

•完整的快充解决方案：从协议识别到功率传输的解决方案；

•优异的性能表现：高效率、低发热、高可靠性；

•显著的成本优势：降低系统总成本，提高产品竞争力；

•便捷的开发体验：参考设计、技术支持、供应链保障。

SM5501及其配套解决方案特别适合追求高性能、高可靠性和高性价比的电源系统设计，是消费电子、工业设备和通信基础设施等领域的理想选择。

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HICHON

海川简介

泉州是海上丝绸之路起源地的历史文化名城之一。传承中国古文化，2019年泉州海川半导体有限公司在渊源流长的文化名城--泉州诞生。海川半导体秉承“海纳百川，有容乃大;壁立千仞，无欲则刚”的精神开始了新的科技创芯之路。

泉州海川半导体有限公司是一家专注于高性能、高品质的数模混合集成电路芯片研发和销售的IC设计公司。其优秀的设计团队来自世界知名大型IC设计公司，拥有10年以上先进的数模混合芯片的设计、生产和测试技术经验。海川的产品覆盖无线网络、移动设备、工业控制等领域的芯片及解决方案，海川提供的芯片成功应用于智能手机、平板电脑、机顶盒、太阳能等众多领域。海川半导体一直秉承为客户提供优质服务和业界高性价比解决方法的理念，立志成为国际一流的数模混合IC集成电路设计企业。

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