美新半导体获得“TMR磁传感器”新专利

美新半导体（无锡）有限公司近日成功获得了一项名为“TMR磁传感器”的专利授权。这项专利于2023年8月17日申请，并于2024年3月12日正式获得授权。

该TMR磁传感器设计独特，包含第一桥臂和第二桥臂，其中一个桥臂的阻值随磁场变化，另一个则保持不变。它们共同形成于同一衬底上，其中阻值随磁场变化的桥臂采用多个磁隧道结设计，使得电流在磁隧道结的结区流动方向与衬底表面垂直。而电流在阻值不随磁场变化的桥臂中流动时，其方向与衬底表面平行。

这种设计不仅简化了制造工艺，还降低了TMR磁传感器工艺制造的难度。它避免了传统方法中需要采用软磁材料屏蔽桥臂以实现单芯片集成的复杂步骤，仅通过一次退火方式即可实现TMR磁传感器的制造。这一创新技术有望推动磁传感器领域的进一步发展，并为相关行业带来更多可能性。