芯塔电子自研的SiC MOSFET顺利通过车规级认证

在车用电子元器件领域，芯塔电子近日宣布其自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装SiC MOSFET器件成功通过广电计量的AEC-Q101车规级可靠性认证。这一消息标志着芯塔电子创新实力的再次提升。

AEC-Q101作为国际通用的车规级电子元器件测试规范，对车用元器件的质量与可靠性起到标志性作用。芯塔电子的SiC MOSFET经历了包括高温反偏、温度循环、高加速应力、高温高湿反偏等18项测试，以验证其在严苛的应用条件下的稳健性和长期高能量冲击下的可靠性。

此次认证不仅是芯塔电子在TO-263-7封装上的又一次成功，同时也是其第二款核心产品通过车规级认证。已通过认证的650V/20A TO-252-3封装SiC SBD产品，与新认证的SiC MOSFET一同构成了芯塔电子在车规级产品上的强大阵容。

目前，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过头部OBC企业测试，并顺利进入批量导入阶段。作为专注于第三代半导体功率器件和应用整体解决方案的提供商，芯塔电子的产品包括SiC SBD、SiC MOSFET、SiC功率模块等，广泛应用于光伏储能、高端电源、新能源汽车、充电桩等清洁能源领域。

通过这一认证，芯塔电子不仅成为国内为数不多的通过车规级认证的SiC功率器件供应商之一，更是在市场上竞争力再度迈上新的高度。这次的成功认证为芯塔电子在未来的技术创新和市场拓展中奠定了坚实的基础。