高意：下一代1.6T相干模块的趋势与观点

ECOC的研讨会，有个讨论议题，就是下一代基于热插拔相干光模块，会采用什么方案，是单载波，还是多载波，很多厂家提出一些思考的方向和观点。

高意Coherent，有几个数据很值得看看。

高意对成本的评估，对标目前的400GZR相干模块，分别讨论了基于4x400G，2x800G，1x1.6T的硅光和Inp方案的成本增加或降低的相对比例关系，其中BOM成本是物料成本计算，总成本是考虑的生产因素，比如良率啊，备料废料的成本啊...

并且考虑了量产规模效应与成本的关系。

综合而言，在年销售量100k（10万只）的级别上，基于1x1.6T的单载波方案具有长期的成本效益。

同时，对功耗做了评估。同样，按高意的估算，基于1x1.6T的单载波方案具有最低的功耗，单载波功耗低。

我把上图的数字做图表化，多载波与单载波方案相比，差异最大的是驱动器的功耗以及ITLA窄线宽可调谐激光器以及配套电路的功耗。

基于单载波方案，在这两个层面，就比多载波方案节约很多功耗。

对于热插拔封装而言，2x800G方案，基于InP来做的话，需要很大空间以及气密封装，激光器需要InP，调制器、混频器、探测器也都需要InP，化合物半导体需要做气密。这是难点。

对于4x400G的硅光而言，硅的光学和电学都不需要金盒气密，难的是多个通道的设计，在高速电学设计层面更为复杂。

相比较而言，单载波的1x1.6T，封装也简单，电学阵列也少些，占用的模块内部空间可控。

接着就聊了一下，基于单载波方案最大的难题，在于带宽的提升，InP调制器，从2013年到2023年，波特率从32GBd到128GBd（或130GBd），十年时间波特率只提高了四倍，那么要完成单载波1.6T的方案，带宽如何提升也挺难的，即使是尺寸很小，功耗很低，成本可预期将来也会很低，但至少得把性能完成吧。

也许，薄膜铌酸锂可以成为延续带宽的下一代的新型材料？？？

硅光集成，以及硅电集成（也就是集成电路），也是下一代相干模块需要关注的，关注的点有两个，一个是带宽，（匡，以前写过的，晶体管的截止带宽，和咱们经常听到的3dB带宽是不一样的啊，有换算关系），一个是密度。

更高密度，有利于降低成本、功耗和芯片尺寸。

更大带宽，就不用说了，哪哪儿都是带宽的迫切需求。

总结而言，成本依然是第一考虑因素，一旦技术足以支持低成本方案实施，那么这种方案就具有最可行性的市场化前景。

对于半导体光学的InP、SiPh，目前的工艺发展依然是产业的瓶颈，对于半导体电学而言，集成电路的发展也是产业瓶颈，在这个产业现实面前，是否考虑设计上的优化，如分段调制来提高射频带宽，降低射频损耗，采用更高阶的调制格式来降低光电器件的带宽....，等等，有待于产业链不断的探讨

这周六，汇总分析一下光学器件的封装，以及光学器件的可靠性，比如InP的金盒气密封装的原因，材料，和评估。