Canon新款5纳米级压印微影系统 绕过美国EUV禁令受瞩目

Canon推出，采用纳米压印微影技术的最新半导体制造系统FPA-1200NZ2C。该设备不但可以用来制造最先进的5纳米节点逻辑芯片，还具有降低降低整体拥有成本的优势。Canon

日本半导体制造设备业者Canon为满足广泛用户需求，正在扩大产品阵容，以涵盖从现有半导体芯片到最先进芯片制造所需，挑战ASML在微影设备市场中的领导地位。

彭博（Bloomberg）与Techspot等报导，Canon 于13日宣布推出，采用纳米压印微影（Nano Imprint Lithography；NIL）技术的最新半导体芯片制造系统FPA-1200NZ2C。该设备不但可以用来制造最先进的5纳米节点逻辑芯片，还具有降低降低整体拥有成本（cost of ownership）的优势。

然而，Canon新推出的微影系统有可能会为美国与国内大陆间的贸易战添加新变量。由于目前美国贸易禁令仅涵盖DUV与EUV微影设备，而Canon的新设备完全跳脱光学微影技术，并不属于原先贸易禁令限制范围。

对于有关询问，Canon发言人表示拒绝就此发表评论。

随着光罩技术的进一步改进，NIL还可望实现最小线宽为10纳米的电路图案（即相当于2纳米节点）。

有别于传统光学微影设备透过光罩，来将电路图案以投影方式印制在涂有抗蚀剂的晶圆上，NIL技术则是透过像盖章的方式，将印有电路图案的光罩压印在涂有抗蚀剂的晶圆上。

由于NIL技术不需要透过光学机制与特殊波长光源来转移电路图案，因此可以使精细电路图案更忠实地再现到晶圆上，并且复杂的2D或3D电路图也可以透过单次压印来达成。如此一来，不但有助于降低拥有成本，也有助于减少二氧化碳的排放。

此外，FPA-1200NZ2C还配备有创新性的环境控制技术，能够最大限度地减少细颗粒污染。

事实上，长期以来NIL技术一直是光学微影技术的低成本替代方案，并且曾受到SK海力士（SK Hynix）与东芝（Toshibha）等存储器制造业者的推广。先前铠侠（KIOXIA）在Canon NIL技术达到成熟商用之前，也曾测试该技术。

印度智库塔克夏许拉研究所（Takshashila Institution）高科技地缘政治专家Pranay Kotasthane表示，NIL技术已经存在20多年，但一直未能获得业界重大关注。主要是因为ASML推出的EUV设备，为高度复杂芯片产品的制造，提供卓越结果。

Canon原先专注于制造用于生产较不先进芯片的半导体制造设备。随着该公司于2014年收购纳米压印先驱业者Molecular Imprints，Canon已在该技术投入近10年时间，来克服以往的诸多问题，如缺陷率过高等。

该公司正在东京北部宇都宫（Utsunomiya）兴建新的微影设备厂，该厂预计会于2025年投入生产。

责任编辑：张兴民