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来源:集微网发布时间:2023-09-206214浏览
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2.帝奥微推出国内首款低电压/超低功耗USB3.2 Gen1 Redriver DIO368121996 年提出USB1.0时,USB接口的数据速率仅为1.5Mbps。随着USB协议的更新迭代,USB已经发展到USB4.0,且USB接口数据速率已增至惊人的40Gbps。
在如此高的数据速率下,通过当今设备中常用的传输介质(例如电缆、PCB走线和柔性PCB)很难维持USB信号完整性,这时就需要使用USB Redriver来改善高速USB的信号质量。帝奥微推出针对笔电、电视、服务器、汽车和平板等领域的USB3.2 Gen1 Redriver DIO36812。系统信号衰减(包括串扰、反射、噪声和抖动等)会降低数据速率吞吐量,并可能导致USB3.2 Gen1信号不满足USB协议规范。DIO36812是一款USB3.2 Gen1 Redriver, 它可用于帮助USB3.2 Gen1保持信号完整性,这对于实现最大数据吞吐量和USB3.2 Gen1信号电气合规性非常重要。
QFN4*4-24DIO36812 超低功耗 由于DIO36812的数据有效负载仅占用USB 3.2 Gen1接口的小部分时间,因此自动省电功能对于例如笔记本电脑等功耗敏感型应用十分有用。每当处于空闲状态的通道超过时间窗口情况下,相应的通道将自动进入省电模式。一旦在此检测到任何低频周期信令(LFPS)信号,通道将立即退出省电模式,并能够起到中继器的作用。在正常操作中,通过自动省电管理,DIO36812 在省电模式下的功耗可以比完全运行模式节省 90%以上。A: 正常工作模式(Normal operation mode)在正常工作模式下,芯片可以正常传输USB3.2 Gen1的信号。该模式下,信号丢失检测持续监控通道的输入信号幅度。正常工作模式下,DIO36812的实测功耗为245mW。B: 省电模式(Power saving mode)一旦通道上的输入信号幅度在预设时间窗口内低于预设的阈值,该通道的主链路断电,此后通道进入省电模式。在此模式下,信号丢失检测仍然监控输入信号幅度,同时接收器端接检测(Rx.Detect)正在持续监控终端 Rx 端接,决定输入端接是否需要变成高阻态并转至挂起模式。省电模式下,DIO36812的实测功耗为4.45mW。C: 挂起模式(Suspend mode)一旦接收器端接检测(Rx.Detect)到链路中断或通电后无法找到远程设备,相应通道将进入挂起模式。在此模式下,接收器端接检测(Rx.Detect)监控终端 Rx 端接。一旦检测到端接电阻,相应的输入端接将被打开。挂起模式下,DIO36812的实测功耗为268uW。D: 断电模式(Power down mode)拉低PD#将使得DIO36812进入断电模式, DIO36812的功耗极低,实测功耗仅31uW。
DIO36812与对照产品PXXXX功耗对比图从上图可以看出:在各个模式与对照产品PXXXX相比,DIO36812的功耗均明显优于对手。不同插损线路是否添加DIO36812的眼图效果对比 众所周知,USB眼图是衡量USB信号是否能很好的通过以及信号完整性的最重要的指标之一。眼图张开越大,对噪音和抖动的容许误差越大,同时接收器判断信号的准确度越高,对系统设计更友好,有更大的线损和寄生电容设计余量,布局和走线的容错率更高。10dB 插损线路上没有DIO36812,眼图测试结果如下:
5Gbps_1.8V_10dB_Trace_Loss眼图(Without DIO36812)10dB插损线路上有DIO36812,眼图测试结果如下:
5Gbps_1.8V_10dB_Trace_Loss眼图(With DIO36812)14dB 插损线路上没有DIO36812,眼图测试结果如下:
5Gbps_1.8V_14dB_Trace_Loss眼图(Without DIO36812)14dB 插损线路上有DIO36812,眼图测试结果如下:
5Gbps_1.8V_14dB_Trace_Loss眼图(With DIO36812)由此可见:- 10dB插损线路未使用DIO36812时,USB3.2 Gen1眼图很差;使用DIO36812后,USB3.2 Gen1眼图的指标完全符合规范要求。- 14dB插损线路未使用DIO36812时,USB3.2 Gen1眼图几乎被淹没;使用DIO36812后,USB3.2 Gen1眼图改善明显。DIO36812是帝奥微高速信号产品的又一块里程碑,填补了国内低电压/超低功耗USB 3.2 Gen1 Redriver的空白。作为帝奥微的战略产品线,Redriver产品系列还将持续加大投入,衍生更多品类的细分产品,进一步覆盖USB、HDMI、DP、PCIE等高速信号细分领域。如果需要相关产品,请联系:dioo-marketing@dioo.com
3.借势新能源汽车产业东风,锴威特提速SiC创新布局集微网消息,基于比Si基IGBT更显著的性能优势,近年来SiC得到越来越多车企的选配并搭载上车,据不完全统计,截至今年上半年,已有超过40款车型搭载SiC器件,今年1-6月相关车型全球销量超120万辆。事实上,120万辆只是开始,SiC上车正在提速,受益电压平台从400V提升到800V甚至更高的换挡期,主逆变器采用SiC已势不可挡,集微咨询(JW Insights)预计,到2026年,全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将接近280亿元,渗透率超过30%。SiC发展前景毋庸置疑,正带动国内相关产业链企业加速布局,近段时间以来,扩产能、抢产能、并购风潮正起。基于自主可控需求,国内实力企业也对SiC加码投入力度,苏州锴威特半导体股份有限公司(下称“锴威特”)也是其中之一。
SiC上车提速进行时相比Si基IGBT,SiC材料的电子饱和漂移速率是Si的2~3倍,禁带宽度、热导率约是Si的3倍,同时可实现10倍于硅基功率器件的工作频率,在能量损耗、封装尺寸方面都较IGBT更具优势,是下一代新能源汽车电机驱动控制系统的理想器件,能进一步提高新能源汽车的续航里程、百公里加速能力和最高时速。不过,SiC的应用仍处于起步阶段,目前无论是技术还是产能,都在持续完善之中,大规模量产仍有待进一步释放,导致SiC的使用成本要远高于Si基IGBT,目前能够接受SiC高成本的应用领域极少,新能源汽车已成为其最大应用市场,也是拉动SiC发展的主要驱动力。根据Clean Technica网站数据,今年上半年全球新能源汽车销量达到583.19万辆,同比增长40.2%;渗透率达到15%;另据中汽协数据,上半年国内新能源汽车销量为374.7万辆,同比增长44.1%,占全球比重超64%。其中,SiC车型覆盖特斯拉Model 3/Y、比亚迪汉EV、蔚来ES8、理想L9、极氪009、小鹏G9、smart精灵#1、丰田bz4X等热门车型,据Clean Technica统计数据,今年1-5月SiC车型销量超100万辆,结合6月全球主力SiC车型销量,上半年SiC车型销量超120万辆。除了以上车型,据不完全统计,计划于下半年上市的SiC车型超过19款,其中包括现代起亚EV6 GT、比亚迪仰望U8、小鹏汽车G6、Lucid Air Sapphire、广汽埃安Hyper SSR、一汽红旗E001、上汽智己LS6、极氪CS1E、阿维塔12、富士康Model B和Model V、合创V09、问界M9等高关注度车型;而到明年,奔驰、奥迪、雷诺-日产等知名品牌也将向市场投放SiC车型。显然,SiC上车已进入提速期。特别是在800V平台加速推动下,主逆变器采用SiC已势不可挡。受此利好,SiC市场规模正在加速扩大。集微咨询(JW Insights)预计,全球新能源汽车SiC功率半导体市场规模将从2022年的68.1亿元提升至2026年的接近280亿元,届时渗透率将超过30%。不仅如此,在新能源汽车带动下,SiC成本有望快速下降,并将在光伏、工业电源等领域得到广泛应用,集微咨询(JW Insights)预计,SiC在以光伏为代表的新能源领域未来几年将保持高速爆发式增长趋势,预计2026年渗透率达到25%以上,市场规模将超过13.1亿元。产业链布局正当时SiC广阔的发展前景,正吸引大批产业链企业参与布局。今年3月,特斯拉含糊表示将减少75%的SiC用量,一度引发市场担忧,不过很快,市场对SiC的追捧非但没有下降,反而加速提升,SiC供应链也在加速整合,意法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed和罗姆等SiC器件龙头厂商,均与主要汽车OEM建立了基于设计导入的合作伙伴关系。同时,为了满足未来市场对SiC的使用需求,行业近期出现了抢产能风潮,天岳先进、天科合达、安森美、Wolfspeed、英飞凌等企业未来产能已被提前锁定。进一步刺激了产业链加码SiC产能建设,仅今年上半年,就有英飞凌、博世、意法半导体、Wolfspeed、Microchip、Pallidus、三菱电机、罗姆半导体、Soitec、安森美、X-FAB、GlobiTech、Aixtron、Resonac、住友电工、利普思半导体、中科意创、天岳先进、时代电气、南砂晶圆、长飞先进、比亚迪半导等国内外企业针对SiC开展了新一轮扩产布局。刚刚登陆科创板的锴威特也是其中之一。该公司自成立起就专注功率半导体器件,并坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,已形成功率器件及功率IC两大品类,主要产品包括高压平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET、PWM控制IC、栅极驱动IC、SiC功率器件等。其中,SiC功率器件研发始于2018年下半年,截至目前,锴威特已在器件结构、关键工艺等方面积累了较多的设计研发经验,掌握了“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”等核心技术,实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制,同时拥有“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”、“碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法”、“一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法”等多项专利储备。产品方面,锴威特SiC功率器件主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),其中,SiC MOSFET已形成650V、900V、1200V、1700V四个电压规格的产品系列,是国内为数不多的具备650V-1700V SiCMOSFET设计能力的企业之一;SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。锴威特SiC相关产品已顺利进入产业化阶段,2020年-2022年,SiC功率器件分别实现收入38.64万元、100.5万元和484.7万元,复合年增速达254.18%。目前锴威特又在进行2600V和3300V电压下产品设计平台的开发。募资6.65亿元投向未来时面对新能源汽车、光伏、工业电源等新兴产业需求,锴威特已在加码SiC布局,计划在现有设计及工艺平台基础上,展开产品系列化研发及可靠性改善提升的研究,不断丰富产品系列。近日成功登陆科创板,无疑成为锴威特加速SiC研发创新的新契机。锴威特原计划IPO募资5.3亿元,实际募资7.52亿元,扣除发行费用后募资净额为6.65亿元,将用于投建智能功率半导体研发升级、SiC功率器件研发升级、功率半导体研发工程中心升级3大项目。其中,SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产,项目总投资计划为8727.85万元,已于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》,建设期为36个月。SiC功率器件方面,锴威特一是计划将SiC MOSFET、SiC SBD产品由4英寸工艺平台升级至6英寸工艺平台;二是计划在SiC MOSFET基础上集成SBD器件,开发出650V和1200V的SiC SKMOS。SiC功率模块方面,包括SiC SKMOS功率模块和集成功率驱动的SiC SKMOS IPM智能功率模块的研发。功率半导体研发工程中心升级项目方面,锴威特将依托在功率器件、功率IC、IPM及光继电器(Photo MOS)产品研发方面的经验积累,对功率半导体研发工程中心进行升级,包括SiC高温封装应用、基于SiC MOSFET制作光继电器以及数字电源方面的研究。锴威特计划通过实施该项目,将打造功率半导体器件测试及可靠性考核平台,通过增加相关的检测分析设备投入,持续优化实验环境,提升测试与可靠性分析的能力和效率,进一步保障产品质量、吸引高端人才,实现技术的升级和专业人才的培养。该项目计划投资1.68亿元,建设期为36个月,同样于2022年1月取得张家港市行政审批局出具的《江苏省投资项目备案证》。
4.OPPO回应重启芯片设计业务传闻:不予评论
集微网消息,近日有消息称OPPO可能重启芯片设计业务,并已开始招揽前哲库科技(ZEKU)员工回归,OPPO方面表示公司已终止ZEKU业务,对此不予评论。据悉,OPPO在2019年成立了芯片设计子公司守朴科技(上海)有限公司,2020年7月改名为哲库科技(上海)有限公司(ZEKU)。今年5月12日,OPPO称,因全球经济、手机市场充满不确定性,公司需做出战略调整,以应对长期发展的挑战。经EMT决定:终止ZEKU业务。公司将妥善处理此次业务调整所带来的相关事宜,并将一如既往做好产品,持续创造价值。哲库发布通知表示,称自5月12日起解散公司及其全资子公司、分公司,并依法终止所有劳动合同。5月19日开始与员工签署补偿金协议,提供补偿金N+3,5月薪酬全部统一按照一个月结算,缴纳5月社保公积金。据悉,在终止业务前,哲库已有3000余人规模,其中国内员工有2500人,按照人员规模,已是国内Top级的芯片设计公司。成立四年来,不少来自展锐、海思、高通等知名芯片设计企业的人才加盟哲库,也包括不少国内知名微电子院校校招人才。
5.任正非最新讲话:谈美国制裁、谈第四次工业革命、谈人才
集微网消息,9月19日,ICPC(国际大学生程序设计竞赛)官网公开了华为创始人兼CEO任正非在8月21日、8月26日与ICPC基金会及教练和金牌获得者的学生的谈话纪要。任正非在谈及美国制裁时表示:“美国制裁对我们来说确实是压力,但是压力也是动力。打压之前,我们把基础平台建在美国。美国打压以后,我们被迫把平台切换到另一个平台,这是艰难的。经过这四年的攻坚,20万员工的拼搏奋斗,我们基本上建立了自己的平台了,将来和美国的平台不一定在同一个基础上运行,但互联互通是一定的。”对于华为支持ICPC的原因,任正非称,“我们即将进入第四次工业革命,基础就是大算力,今天的年青人,明天有可能就是第四次工业革命的领袖。我们支持竞赛的目的是要为年青人搭建一个绽放生命火花的舞台。团队协作既是竞赛致胜的基础,也是维持生存的基础,更是人类更加繁荣的需要。我们需要彼此紧密合作,大家互相聚在一起,相互激发和挤压,就会有新的科学技术爆发出来。”在华为对人才的态度方面,任正非表示,华为一贯秉持发现、发展人才,但绝不垄断人才的原则。坚持开放,拥抱全世界人才。世界的发展离不开技术的进步与人才的交流,更快的速度和更好的人才是国家繁荣的基础。华为愿意与学术界共同培养信息领域的优秀人才,但绝不垄断人才。这些人才在华为锻炼、学习、成长之后,将来各自回归他们的祖国,也有利于各国信息产业的振兴。以下是谈话纪要全文:感谢ICPC基金会主席及十几位教练带了58位各国世界计算机竞赛的金牌获得者,来我们公司考察与竞赛。我们会继续支持你们的全球活动,也希望通过你们将全球大学生数学、物理、生物……竞赛引进来,我们同样给予赞助与支持。一、我们即将进入第四次工业革命,基础就是大算力,今天的年青人,明天有可能就是第四次工业革命的领袖。我们支持竞赛的目的是要为年青人搭建一个绽放生命火花的舞台。团队协作既是竞赛致胜的基础,也是维持生存的基础,更是人类更加繁荣的需要。我们需要彼此紧密合作,大家互相聚在一起,相互激发和挤压,就会有新的科学技术爆发出来。这次,来自25个国家的精英们欢聚一堂,我们认识了,就有了共同交流的平台。教练与学生、学生与学生、赛队与赛队之间可以互相激发,可能就留下了火种,擦出了火花,年青人们把火种带回祖国,去点燃了自己国家的大火。新的科学技术一定能创造更多的社会财富,消除贫困,使人类的生活能够改善,走共同富裕的道路。第四次工业革命波澜壮阔,其规模之大不可想象。今天的年青人是未来大算力时代的领袖,人类社会对你们具有很大的期望,二三十年之内的人工智能革命,一定会看到你们星光闪耀。二、华为一贯秉持发现、发展人才,但绝不垄断人才的原则。坚持开放,拥抱全世界人才。世界的发展离不开技术的进步与人才的交流,更快的速度和更好的人才是国家繁荣的基础。华为愿意与学术界共同培养信息领域的优秀人才,但绝不垄断人才。这些人才在华为锻炼、学习、成长之后,将来各自回归他们的祖国,也有利于各国信息产业的振兴。三、对于竞赛,我们会长期稳定地支持发展,赞助全球和各区域大赛的组织。华为愿意赞助ICPC教练、参赛人员等来中国交流。华为资助竞赛不以华为为目的。我们不仅要坚持,还要加大对这类活动的赞助。支持未来ICPC全球赛在中国的举办,并邀请优秀选手和教练来中国多走走、多看看。比如北京、深圳、杭州、上海、贵州……,也可以去新疆、西藏等边疆省份感受一下,还有一些小县城也非常漂亮,值得去看看,了解中国的产业发展与城市建设;坐坐高铁,体会中国的发展速度;喝喝咖啡,吃吃烧烤,感受中国的美食和文化氛围。除了支持或协办全球软件大赛,我们也要支持其他学科的竞赛,例如信息、数学、物理、化学、生物学、神经网络……等,对这些学科的青少年逐步开始支持,激发对科学研究的兴趣,从而促进基础科学的人才培养。四、我们会开放全球的园区,支持ICPC在华为园区举办的比赛,同时也会对大家开放研发区,邀请年轻人才来体验华为的工作环境。华为愿意面向全球优秀青少年开放信息领域的技术难题、开放实习与研究机会,帮助接触华为的端边管云平台、参与攀登珠峰的基础和前沿探索;也可以通过多种渠道,比如组织难题挑战赛事、黄大年茶思屋的开放研讨等,让青少年了解产业现实的挑战,在做题突破中能够得奖,这样就节省了勤工俭学的时间用于更好地学习,通过这个过程,也能让年轻人更好地成长。现场问答环节:俄罗斯ICPC教练:我作为ICPC冠军队教练已经10年了。很多公司支持人才发展,但可能因为与业务没有直接的关系,他们就不太愿意支持大规模竞赛如ICPC。自从华为在本地建立起了资源中心,支持竞赛,一切都发生了很大变化。我发现华为不仅是为了招聘人才,更多的是帮助本地社区去发展人才。我们获得了竞赛部门的大力支持,我的冠军团队也有25人加入了华为各个部门。我想问,华为为什么觉得支持竞赛对业务发展这么重要,或者是必须要做的事情呢?任总:俄罗斯是一个伟大的国家。叶卡捷琳娜引进了西方的绘画、音乐、哲学……,同一个时代,中国清朝走的是闭关锁国的道路,因此俄罗斯早于中国实现了工业化。在此基础上,基础理论研究得到前苏联的重视,也取得了很大的成就,例如茹可夫斯基、门捷列夫、罗蒙诺索夫、波波夫……。近期比如,前苏联六十年代有位科学家彼得·乌菲姆契夫,最先发现钻石切面有无线电反射功能,但前苏联研究了半天觉得这个东西没用,为什么?因为做不到,没有意义,所以批准了数学家的论文公开发表。但美国人看了以后,如获至宝,花20年时间把F22隐形飞机做出来了。华为公司虽然是一个商业公司,但是并不是唯利是图的公司。比如说我们资助竞赛是真心诚意的,并非是要获得人才,以后我们还加大竞赛活动的赞助。刚才跟Bill主席喝咖啡,我们讲了希望通过你们把信息、数学、物理、化学、生物学、神经网络……的竞赛都可以引到中国来。跟我们有关无关,我们都可以给予支持。就像Bill主席讲的,科学技术要用于创造更多的社会财富,消除贫困,走共同富裕的道路。Sun Teck(新加坡国立大学副教授、IOI成员,新加坡信息奥赛主席,前ICPC赛队教练):首先,感谢华为大力支持我们训练学生并参加竞赛。其次我想介绍一下另外两个竞赛组织:一是IOI(国际信息学奥赛),是ICPC的下游合作伙伴,主要是去发现、培养人才。IOI遇到一些问题,90多个国家加入,仍有柬埔寨、老挝、文莱、缅甸等很多国家没有加入,这些国家需要我们的支持,这和华为传播信息技术、连接世界的愿景也是一致的。已经加入IOI的国家也面临一些问题,比如没有足够资源去培训学生因而很少赢得奖项,从而没有机会参与到ICPC,希望华为能够帮助IOI的发展。另外一个是EGOI(欧洲女生信息学奥赛),是专门为女子办的,这是一个很好的趋势。今天的58人里只有一位女生,占不到2%,关于如何实现竞赛中的性别平衡,希望华为能够支持。任总:新加坡立国时,李光耀定了两个最重要的政策,第一确定了国家语言为英文,连接了一个非常大的世界;另一语言是汉语,准确来说说是普通话和简体字,这样就把两个大世界都连起来了。今天我们进行计算机竞赛,就要统一计算机的语言,统一大算力时代的标准,通过我们喝咖啡,通过我们交流,消除我们之间的障碍和隔阂。这次我们把参加的25个国家连接起来了,星星之火可以燎原,点燃你们国家的大火。欢迎教练和年轻人,随时到中国来,你们已经加了我们很多同事、朋友的通信方式了,可以保持沟通和联系。今天你们这些年青人就是我们永久的伙伴。除了ICPC,我们也要支持IOI,以及数学、物理、化学、生物学、神经网络等学科的竞赛,一起促进基础科学的人才培养。Meza(智利圣玛利亚理工大学计算机科学教授、ICPC拉美地区主管):我感到很骄傲,因为一位拉美选手获得了本次冠军,当然我们还有很多优秀学生。或许是因为美洲有相关限制,在拉美,华为的工作机会不多,华为是否欢迎拉美人才来实习,比如来中国会不会有一些系统化的支持?任总:无论是拉美还是其他国家的优秀人才,我们都欢迎到华为来。我们有个网络平台叫“黄大年茶思屋”,学生可以在上面联系相关专家沟通,如果专家觉得你应该到中国来面对面地一起实习,都是可以的。举一个简单的例子,美国倾举国之力打击的5G是谁发明的?其中的Polar码是谁发明的?是土耳其的Arikan教授。他十几年前发表了一篇数学论文,发表两周以后我们发现了这篇文章,就组织了数千科学家和专家研究解析并工程化,才做出了今天领先世界的5G。所以,天涯何处无芳草?到处都有优秀人才,当然大概率是在美国。天才从哪个地方冒出来,谁都不知道,欢迎在网络上和我们的专家沟通。北京大学教授、ICPC亚洲东部区域竞赛总监:过去的十几年中都是美国公司在赞助,但从几年前华为开始赞助全球性的活动,终于中国公司也能站出来赞助全球的教育活动,我们感到非常自豪。我想请问您对高等教育有什么样的期望?任总:我们不仅要继续资助活动,而且我认为资助力度还不够,要继续加强。高等教育应该因材施教,不要老强调统一的教材;中小学教育,“不要输在起跑线上”这个口号,我认为是不正确的,不能让优秀的学生等跑。中国教育一定要振兴起来,华为公司这些年由7000多位高鼻子的外国科学家、专家,13800多位留学生,大多数是博士,再加上十多万咱们中国的优秀学生,组成研发队伍,才扭转了困难。如果美国将来关闭一些学科,不允许中国留学生去留学的话,那我们就只能从中国大学获得人才,大学不能同质化。法国选手:有一种科学研究叫无用研究,说它无用其实是短期还不知道它应用到哪里,这种研究可能主要是由大学而不是公司完成,但其实这种研究长期来看是非常重要的。华为对这种这类无用研究的是什么看法?华为会不会投资这类研究?任总:什么叫科学?未知就叫科学。现在大家都知道,美国在科学研究上自由化程度是比较高的。在二战前,美国基础研究是很薄弱的,基本上是依赖欧洲的理论来支撑其工业、航空、航天……,如同今天中国对西方的依赖,大量的定理定律、公式、发明……都来自欧洲。二战结束后,美国发现自己是跟在欧洲后面跑,因为美国基本上没多少基础理论积淀。美国科学家范内瓦尔·布什,写了一本书叫《科学:无尽的前沿》,提出美国要研究看起来没有用的、遥远的东西,就是研究了很多“无用”的科学,美国在二战以后基础科学就蓬勃发展。到90年代以后美国普林斯顿大学一个教授叫司托克斯写了一本书《基础科学与技术创新 : 巴斯德象限》,关于如何通过应用牵引科学的探索,把“无用”的科学聚集起来变成有用的。在这个数字时代,美国称雄了世界,我们就是搭上了时代的数字列车发展起来的。当今时代,科学和技术的边界越来越接近,科学转化为技术的时间越来越短,如果等到大学把理论完全研究明白,我们再去进行技术开发,就已经没有先发优势,没有竞争力了。所以我们自己也开始重视基础理论研究,每年大约投入30-50亿美金用于基础理论研究。我们和大学一起并驾齐驱、互相嵌入式地共同研究这些看似无用的科学。巴西选手:因为美国制裁,近年华为遇到了不少的困难,我想知道华为是如何应对,是否已经做好了准备,能够在国际市场上可持续发展?以及是否要恢复和美国的关系,还是说不用跟美国恢复关系仍然能够持续发展?任总:美国制裁对我们来说确实是压力,但是压力也是动力。打压之前,我们把基础平台建在美国。美国打压以后,我们被迫把平台切换到另一个平台,这是艰难的。经过这四年的攻坚,20万员工的拼搏奋斗,我们基本上建立了自己的平台了,将来和美国的平台不一定在同一个基础上运行,但互联互通是一定的。孟加拉国选手:这次ICPC参赛者有没有机会加入华为?未来职业发展机会是什么?任总:我们的竞赛活动完全是学术性的,与加入华为没有直接关系。如果你有意愿加入华为,可以向我们当地的人力资源部门去申请,我们欢迎全世界优秀人才加入华为。孟加拉有将近2亿人口,西方曾判断孟加拉会是下一个新兴的工业国家。现在孟加拉有你这样的优秀人才,慢慢地会引导国家走向更快的发展。但更快发展的基础是什么?是速度。希望你能够带头,把所学所获带回孟加拉,把国家发展提高到一个新的速度。ICPC墨西哥&中美地区主管:一些科技公司如甲骨文、思科在墨西哥设置了研发中心。我想请问未来华为是否有计划在墨西哥或者是在拉美设置研发机构?任总:海外研发的布局,需要问我们2012实验室的主任,我们把您的意见带回去。墨西哥有很灿烂的文明,玛雅文化现代人到今天也还没有完全搞明白。墨西哥文明起源很早,我们相信这种文明在世界各国都会有。我们也可能会考虑到那里,但还是要根据2012实验室的具体部署来。以前我们的部署是以美国为中心、分布全世界,后来美国打击我们,我们就以欧洲为中心,逐渐以欧亚为中心,拉美就去的少了。拉美还受美国的管制,我们还要进一步评估一下管制的状况。俄罗斯选手:华为公司有这么多人,通过怎样的管理实现高效运作?任总:在创立公司之初我访问了美国,以IBM为主体去理解他们的管理。第一,IBM的企业目标管理,就是为客户服务,一切都要以客户为中心,这样企业就有了一个整体方向感,这个方向感把员工凝聚起来了。第二,学习IBM推行IPD,就是在研发中怎么加入市场、服务代表,IPD是一个前瞻性的领导组织来引导研发前进。接下来又向IBM学习IFS、ISC财务和供应链管理。这样,流程体系就清楚了。最重要的是分配问题,我们就研究华为财富在哪儿,财富怎么分配。我们认为财富在员工的脑袋里面,把脑袋拿来称一称到底有多重,就给你分多少。我们的分配方式,劳动分三,资本分一。冰岛选手:不知道是真的假的,我之前听说您本人是果粉?任总:因为我女儿在美国读书,如果不用苹果,她上课就很不方便。我们不要排外,我们也经常探究苹果的产品为什么做得好,也能看到我们与苹果之间的差距。有一个老师是很幸福的,可以有学习机会,有做比较的机会。如果从这些角度来说我是果粉呢,也不为过。
6.SEMI:到2026年中国大陆200mm晶圆厂产能增长22%
集微网消息,SEMI近日发布了《2026年200mm晶圆厂展望报告》,报告预计2023年到2026年,全球半导体制造商200mm晶圆厂产能将增加14%,新增12个200mm晶圆厂(不包括EPI,非盈利组织),达到每月770多万片晶圆的历史新高。其中,汽车和功率半导体的晶圆厂产能将增长34%,排名第一;微处理器单元/微控制器单元(MPU/MCU)排名第二,为21%;其次是MEMS、Analog和Foundry,分别为16%、8%和8%。
报告指出,功率化合物半导体对消费、汽车和工业领域至关重要,是200mm投资的最大驱动力,特别是电动汽车的动力总成逆变器和充电站的发展将推动全球200mm晶圆产能的增长。数据显示,占200mm晶圆厂产能比重大部分的是80nm到350nm的技术节点。80nm至130nm节点产能预计将增长10%,而131nm至350nm技术节点产能预计将在2023年至2026年增长18%。按地区来看,东南亚预计将引领200mm产能的增长,将在报告期内增长32%;预计中国大陆将以22%的增长率位居第二,预计到2026年将达到每月170多万片晶圆;美洲、欧洲和中东以及中国台湾地区将分别以14%、11%和7%的增长率紧随其后。2023年,中国大陆预计将占据200 mm晶圆厂产能的22%,而日本预计将占据总产能的16%,其次是中国台湾地区、欧洲和中东以及美国,分别占15%、14%和14%。热点聚焦:更多新闻请点击进入爱集微小程序阅读


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2026-06-05