近七成净利同比下滑,180家半导体概念股上半年业绩一览;地芯科技五年风雨"出芯"路;中国科学院/工程院院士增选有效候选人名单公布
来源:集微网发布时间:2023-09-011596浏览
询问 AI1.半导体概念股上半年业绩一览:180家企业合计营收3404亿元 近七成净利润同比下滑;2.地芯科技五年风雨“出芯”路,全品类瞄准“ADI”渐入丰收新拐点;3.中国科学院院士增选有效候选人名单公布,魏少军、施毅、杨银堂等583人在列;4.中国工程院院士增选有效候选人名单公布,华为、比亚迪、飞腾、百度皆有入选;5.喜报!深圳嘉勤知识产权代理有限公司荣登授权率排行榜第23名;6.背面供电:台积电被将了一军;7.产业观察:镓、锗出口管制“满月”,国际国内市场风向迥异;8.新规今日生效 ASML:年底前可以向中国出货受限芯片制造设备
集微网消息 2023年以来,在终端市场需求持续下滑的背景下,A股多家半导体设计公司业绩出现下滑。而在晶圆厂资本开支下调和行业呈现结构性需求变化下,部分设备、材料厂商业绩仍实现逆周期增长。
据集微网不完全统计,截至8月30日,A股有180家半导体公司披露了2023年半年度业绩报告,仅有47.22%的公司实现营收增长。而盈利方面,更是有118家公司归母净利润出现同比下降,占比高达65.56%,接近七成。180家企业合计营收3404亿元据集微网统计的A股半导体公司2023年半年度业绩显示,180家公司实现营业收入合计3403.63亿元,平均每家企业18.91亿元。从业绩规模来看,营收超过100亿元的公司有7家,分别是闻泰科技、环旭电子、楚江新材、中芯国际、太极实业、中电港、长电科技,其上半年营收分别为292.06亿元、268.66亿元、215.71亿元、213.80亿元、186.17亿元、156.98亿元、121.73亿元。营收在50~100亿元(含)区间的企业有8家,分别是韦尔股份、华虹公司、北方华创、晶盛机电、深科技、三安光电、有研新材、华天科技,其营收分别为88.58亿元、88.44亿元、84.27亿元、84.06亿元、77.41亿元、64.69亿元、56.48亿元、50.89亿元。营收在20~50亿元(含)区间的企业有15家,分别是士兰微、振华科技、紫光国微、兆易创新、三环集团、扬杰科技、海光信息、国科微、中微公司、晶晨股份、顺络电子、雅克科技、风华高科、北斗星通,以及汇顶科技。而在营收增幅方面,有85家公司营收实现同比增长,占比达到47.22%。其中,营收增幅超过100%的企业仅有4家,占比为2.22%,营收增幅在50%~100%(含)区间的企业有9家,占比5%;营收增幅在20%~50%(含)区间的企业有24家,占比达到13.33%;营收增幅在0%~20%(含)区间的企业有48家,占比达到26.67%;营收增速同比下降的企业有95家,占比为52.78%。从增长幅度来看,中科飞测的营收增长幅度最高,达到202.25%,紧随其后分别为是天岳先进、万业企业、宏微科技,其营收增幅分别为172.38%、134.34%、129.70%。营收增幅在50%~100%之间的企业有9家,分别是晶盛机电、拓荆科技、华海清科、睿创微纳、广立微、振华风光、北方华创、国科微、华大九天,其上半年营收增幅分别为92.37%、91.83%、72.12%、64.16%、63.91%、61.61%、54.79%、52.39%、51.92%。营收增幅在20%~50%之间的企业有24家,分别是盛美上海、斯达半导、铖昌科技、正帆科技、芯动联科、概伦电子、富创精密、芯源微、晓程科技、北斗星通、阿石创、广钢气体、日联科技、恒玄科技、至纯科技、紫光国微、中微公司、英集芯、太极实业、芯碁微装、清溢光电、金宏气体、灿勤科技、中科蓝讯。另外,神工股份、源杰科技、希荻微、联动科技、格科微、思瑞浦、中微半导、创耀科技、耐科装备、长川科技、中颖电子、鸿远电子、华峰测控、强力新材、联特科技、富满微、宏达电子、仕佳光子、明微电子等95家企业营收均出现不同程度的下滑。65.56%公司归母净利润同比下滑2023年上半年,有148家A股半导体公司归母净利润实现盈利,合计盈利304.48亿元,另有32家企业净利润出现亏损,共计亏损29.27亿元。从归母净利润规模来看,180家企业中,共有8家企业净利润超过10亿元,占比达到4.44%;净利润在1~10亿元(含)的企业有49家,占比为27.22%;净利润在0~1亿元的企业有91家,占比50.56%;净利润亏损的企业有32家,占比为17.78%。具体来看,归母净利润超过5亿元的公司分别为中芯国际、晶盛机电、北方华创、华虹公司、振华科技、紫光国微、闻泰科技、中微公司、环旭电子、三环集团、海光信息,其归母净利润分别为29.97亿元、22.06亿元、17.99亿元、15.89亿元、15.30亿元、13.92亿元、12.58亿元、10.03亿元、7.67亿元、7.31亿元、6.77亿元。净利润在2-5亿元之间的企业分别是长电科技、复旦微电、盛美上海、斯达半导、太极实业、扬杰科技、华海清科、卓胜微、雅克科技、兆易创新、深科技、宏达电子、燕东微、睿创微纳、振华风光、顺络电子、火炬电子、鸿远电子、楚江新材19家企业。另外,净利润出现亏损的企业有华灿光电、汇顶科技、龙芯中科、富满微、明微电子、天岳先进、上海贝岭、敏芯股份、士兰微、盈方微、神工股份、格科微、仕佳光子、强力新材、东田微、景嘉微、国林科技等32家企业。在上述180企业中,有62家企业净利润出现同比增长,占比达到34.44%,而净利润出现下降的企业则有118家,占比65.56%。从净利润增长幅度来看,广立微归母净利润同比增长3903.60%,居于首位。紧随其后分别是上海新阳、露笑科技、晓程科技、太极实业、国科微、万业企业、中科飞测、沪硅产业、航宇微,增幅分别为775.81%、431.23%、416.60%、378.17%、319.79%、318.10%、242.88%、240.35%、206.38%,均超过200%。归母净利润增幅在100%-200%(含)之间的企业有10家,分别是正帆科技、日联科技、北方华创、广钢气体、睿创微纳、大港股份、中微公司、华大九天、亚光科技、华海清科。归母净利润增幅在50%-100%(含)之间的企业有12家,分别为芯源微、宏微科技、盛美上海、侨源股份、晶盛机电、希荻微、金宏气体、普源精电、力合微、利扬芯片、振华风光、路维光电。另外,有118家企业归母净利润出现不同程度的下滑。其中,气派科技、华灿光电、汇顶科技、四维图新、敏芯股份、盈方微、富满微、龙芯中科等14家企业下跌幅度超过200%。
2.地芯科技五年风雨“出芯”路,全品类瞄准“ADI”渐入丰收新拐点集微网消息,8月的模拟射频芯片赛道上又传佳音:杭州地芯科技有限公司(以下简称“地芯科技”)完成近亿元B轮融资,累计融资逾两亿元。成立5年来,地芯科技近乎一年一个台阶地走向了“模拟军团”前列。令业界备感好奇的是,作为高端模拟射频芯片设计和提供者,地芯科技丰富的“芯片家族”是怎样打造的?提升国产化的道路上如何持续“推陈出芯”?在喊出“成为中国的小ADI”那一刻,地芯科技怎样朝着既定路线埋首狂奔?集微网就此对话地芯科技总经理吴瑞砾,重走风雨“出芯”路,再探丰收新拐点。
探索半导体星球,“成为中国的小ADI”地芯科技成立于2018年11月,不久即作为重点项目落户中国(杭州)人工智能小镇。其先后发布地芯风行系列4G/5G通信收发机芯片,基于地芯云腾技术平台的多频多模射频功率放大器GC0643等,一举形成“无线通信收发机芯片、射频前端芯片和模拟信号链芯片”三大产品线布局,产品应用遍及无线通信、工业电子及物联网等诸多领域,创下千万级批量出货的纪录。与此同时,5G浪潮狂飙突进与地芯科技初生几乎同频交织:2018年12月,工信部向中国电信、中国移动、中国联通发放5G系统中低频段试验频率使用许可;2019年6月,工信部向中国电信、中国移动、中国联通、中国广电发放5G商用牌照,我国进入“5G商用元年”。截至2022年8月末,我国三家基础电信企业发展移动物联网终端用户16.98亿户,我国成为全球主要经济体中率先实现“物超人”的国家。这一产业变革中,被业界称为“模拟芯片皇冠上的明珠”的射频芯片功不可没。而巨大的增量市场往往催生众多企业躬身入局,他们在极高的技术门槛下“踌躇满志”或“望洋兴叹”:移动终端设备功能的快速增加,带动射频芯片数量急剧跃升致使设计难度指数化提升;另一方面,射频芯片设计不仅需要丰富的理论支撑,更高度依赖技术经验。奋楫争先逐浪高!历时5年,地芯科技打造出三大产品线:无线通信收发机芯片产品线作为其“核心之作”,拥有全面自研IP技术平台。其中,地芯风行系列产品具有超宽频、超宽带、高集成度、低功耗等优势,其超宽带类可覆盖4G/5G多种通信设备;宽带类可支持高清图传、高速物联网5G Redcap、卫星通讯、车联网V2X等新应用场景;窄带类可应用于对讲机等专网通信设备、工业物联网终端等。除GC0802芯片外,在研的同系列产品型号多达10余款。据了解,地芯风行是除华为、中兴产品外,国内首颗能够支持5G频段且实现量产的射频收发机芯片,突出优势在于功耗非常低,比国外大厂产品功耗要低30-40%。射频前端产品线上,地芯科技采用CMOS工艺,开发出单片集成功率放大器(PA)、低噪放大器(LNA)、有带通滤波功能的Bypass通路、收发射频开关及数字控制电路的GC1103射频前端芯片等;而模拟信号链芯片产品线方面,地芯科技正积极推广,性能比肩海外竞品。就“成为中国的小ADI”,吴瑞砾进行详细阐述。他说:“ADI公司作为模拟芯片巨头,其发展历程值得我们借鉴,更是无形的激励。地芯科技核心业务始终对标ADI公司,朝着‘全品类、多系列’的目标而努力,这将是地芯科技未来发展的主要方向。”吴瑞砾强调,地芯科技将以射频收发芯片为“锚点”、以ADI为目标,在广袤的半导体星球中寻求超越。CMOS PA“攻坚战”,地芯云腾大放异彩
去年年末,地芯科技量产国产射频宽带收发机芯片“地芯风行系列GC0802”,并完成客户首轮验证。喜讯传出之际,地芯团队内部并未引起较大波澜,他们正紧锣密鼓地投入一项重要的技术“攻关战”。转眼来到2023年5月,地芯科技在上海举行的新品发布会上正式宣布地芯云腾GC0643面世!这是一款基于地芯云腾技术平台的多模多频功率放大器模块(MMMB PAM),它应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat.1物联网设备,支持多频段多制式应用及可编程MIPI控制。
新品发布令人振奋,但背后的技术突破意义重大。普遍而言,射频前端芯片中的PA芯片(Power Amplifier)直接决定无线通信信号强弱、稳定性、功耗等,在射频前端芯片中处于较为核心地位(Yole数据显示,射频前端市场将从2022年的192亿美元升至2028年的269亿美元,年复合增长率达5.8%)。由于PA长期围绕CMOS、GaAs、GaN三大技术路线而展开,其中具有高集成度、低成本、低漏电流、导热性好、设计灵活等特性的CMOS,囿于“击穿电压低、线性度差”两大先天性弊端致使落地困难重重,使其在射频PA应用上面临巨大的挑战。为扭转GaAs工艺“一家独大”现状,地芯科技创始团队深耕线性CMOS PA技术超10年,相继攻克击上述两大世界级工艺难题,在全球范围内率先量产支持4G的线性CMOS PA,为CMOS工艺的PA进入主流射频前端市场铺平道路。将CMOS工艺应用在PA上的尝试,地芯科技并非首倡——数年前,某法国公司在4G流行之初曾一度试水CMOS PA,但最终引憾“折戟”。而地芯科技作为坚定的CMOS工艺路线的“支持者、冲锋者、发扬者”,在路线抉择上更坚定、市场落地上更灵活,其创始人更是体硅功率放大器射频团队核心人员,带领团队成功开发并量产多款应用于3G/4G/IoT的功率放大器,其中包括世界上首款基于体硅的线性射频功率放大器产品。至此,要特别介绍地芯科技打造的完全自主创新的射频前端芯片技术平台“地芯云腾”。该平台基于CMOS工艺路线全新多模多频PA设计思路,以创新的线性化电路设计,成功打造低功耗、低成本、高集成度、高可靠性线性CMOS PA,为CMOS工艺的PA进入主流射频前端市场撬开“窗口”。吴瑞砾介绍:“目前,我们希望通过CMOS PA技术巩固物联网等市场,做深做扎实,赢得市场占有率;长期看,我们将使用该技术在射频前端领域进行充分延展。”“吴越同舟”风雨五年,渐入“拐点”迎丰收“当前,地芯科技正处于历史交替期,从首个5年迈入第二个5年,具有承上启下的意义。”吴瑞砾表示,作为一家科技型企业,研发周期漫长,地芯科技过去数年的发展曲线是较为平缓的;而当产品成熟之际,地芯科技也将进入拐点,很快会出现偏指数型增长。接下来,地芯科技将从研发为重逐步转入“开疆拓土”阶段,向市场要丰收!目前,地芯科技研发技术人员占比70%以上,其中超80%拥有硕士、博士学历,大多毕业于清华、浙大、加州大学洛杉矶分校、新加坡国立大学等海内外名校,曾就职于高通、马威尔、联发科、三星、TI等半导体企业,普遍具有10-20年芯片研发与量产经验,专业涵盖系统、射频、模拟、数字、算法、软件、测试、应用、版图等方向。吴瑞砾特别讲道:“团队经历了5个春秋,感谢大家目标一致、吴越同舟,在工作中作出了卓越贡献。”5G、物联网、Wi-Fi等技术和应用迅猛发展之际,深耕技术、广拓市场的地芯科技散发着巨大“引力”,吸引众多投资机构、龙头企业追逐而来。就地芯科技融资历程看,2019年完成天使轮融资,2020年完成Pre-A轮融资,2021年完成A/A+轮融资,并在今年8月完成近亿元B轮融资(用于新产品研发投入、市场推广和团队建设等)。纵观全球模拟射频芯片市场,Qorvo、Skyworks、Broadcom等射频巨头包揽大部分市场份额,我国射频领域看似强大,但国产化率严重偏低。吴瑞砾表示,这些年来,模拟射频芯片低端领域的国产化率已有极大改善,增速非常快;但高端领域的国产化率还比较低,需要一步一个脚印地攻关。红雨随心翻作浪,青山着意化为桥。虽然我国半导体产业面临着种种挑战,但5年以来,地芯科技已有多款产品在性能方面实现领先,取得阶段性突破。未来伴随着6G、Wi-Fi 7等技术的更替涌动,地芯科技将始终秉持“脚踏实地 开拓创芯”的精神面貌和产业理念,致力推动国产化提升、创新发展产品技术,在探索高端模拟射频芯片的道路上,打破垄断,共建射频领域高端芯片全新生态圈。
3.中国科学院院士增选有效候选人名单公布,魏少军、施毅、杨银堂等583人在列
集微网消息,8月31日,《2023年中国科学院院士增选有效候选人名单》公布。公告称,2023年中国科学院院士增选推荐工作已经结束。经第九届中国科学院学部主席团第十次会议审议,中国科学院党组审定,确认2023年中国科学院院士增选有效候选人583人。根据《中国科学院院士增选工作实施办法(试行)》的规定,现将有效候选人名单予以公布。根据《2023年中国科学院院士增选有效候选人名单》,信息技术科学部共有鲍虎军(浙江大学 之江实验室)、魏少军(清华大学)、施毅(南京大学)、杨银堂(西安电子科技大学)、尤肖虎(东南大学)等62人在列。具体名单如下:
以下是全部名单:





4.中国工程院院士增选有效候选人名单公布,华为、比亚迪、飞腾、百度皆有入选
集微网消息,8月31日,《中国工程院2023年院士增选有效候选人名单》公布。公告称,中国工程院2023年院士增选提名工作已经结束。经中国工程院第八届主席团第六次会议审议,中国工程院党组审定,确认中国工程院2023年院士增选有效候选人655人。根据《中国工程院院士增选工作实施办法》的规定,现将有效候选人名单予以公布。根据《中国工程院2023年院士增选有效候选人名单》,信息与电子工程学部共有窦强(飞腾信息技术有限公司)、洪伟(东南大学)、时龙兴(东南大学)、徐文伟(华为技术有限公司)、王海峰(北京百度网讯科技有限公司)等78人入选;机械与运载工程学部有廉玉波(比亚迪股份有限公司)、吴凯(宁德时代新能源科技股份有限公司)等66人入选。信息与电子工程学部名单如下:
以下是全部名单:



5.喜报!深圳嘉勤知识产权代理有限公司荣登授权率排行榜第23名近期,专利茶馆与江苏省舜禹信息技术有限公司联合推出2023上半年发明专利结案量100件以上代理所授权率排行榜。该榜单统计了1312家代理所数据,其中深圳嘉勤知识产权代理有限公司名列第23位,具体数据如下:


来源:专利茶馆深圳市嘉勤知识产权代理有限公司是“爱集微”旗下的全资子公司,总部位于深圳,同时在北京、上海、南京、合肥设有分部,专注于服务ICT领域尤其是半导体企业的专利代理业务,隶属于“集微知产业务”。关于集微知产
“集微知产”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成,熟悉中欧美知识产权法律理论和实务。依托爱集微在ICT领域的长期积累,围绕半导体及其智能应用领域,在高价值专利培育、投融资知识产权尽职调查、上市知识产权辅导、竞争对手情报策略、专利风险预警和防控、专利价值评估和资产盘点、贯标和专利大赛辅导等业务上具有突出实力。在全球知识产权申请、挖掘布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设等方面拥有丰富的经验。我们的愿景是成为“ICT领域卓越的知识产权战略合作伙伴”。
6.背面供电:台积电被将了一军集微网报道 在先进工艺量产的道路上台积电、三星、英特尔可谓你追我赶,但不得不说台积电总是棋高一着。但世上怎会有常胜将军?这不,依靠背面供电BSPDN技术,英特尔率先走在了前列,宣称要在明年量产,这或比台积电提前两年。台积电计划在2026年推出N2P工艺,采用背面供电技术,而三星也将在2nm工艺采用BSPDN技术。将三大巨头的争斗放在时间轴来看,除英特尔2012年在22nm率先引入FinFET;2015年三星跳过20nm率先量产14nm FinFET、3nm抢先发布之外,鲜有台积电被对手反超两年之久。而一直在积蓄力量期望在2nm时代重塑“FinFET时刻”荣光的英特尔,能否凭借背面供电再现辉煌,而台积电真的会被将一军吗?
背面供电成必然?悄然兴起的背面供电越来越被视为持续开发更精细工艺节点的基本技术。这或是大势所趋。随着越来越多的使用场景,包括AI、GPU等都需要尺寸更小、密度更高、性能更强的晶体管来满足不断增长的算力需求。而传统晶体管架构中的电源线和信号线一直都在“抢占”晶圆内的同一块空间,据不完全统计电源线或占据芯片20%的空间。而背面供电通过将原先和晶体管一同排布的供电线路直接转移到晶体管的背面重新排布,不仅可节省空间,还将大幅提高芯片性能和能效。一位业内人士告知集微网,背面供电技术是一种可用于调节芯片功耗和效能的技术。它通过改变芯片背面的电位,控制晶体管闸极-源极电压,进而影响晶体管的阈值电压和电流。当芯片处于低功耗模式时,使用背面供电技术可以降低晶体管的阈值电压,从而降低晶体管的漏电流,进而减少功耗。当芯片处于高性能模式时,使用背面供电技术可以增加晶体管的阈值电压,从而提高晶体管的速度和效能。“随着工艺进入2nm,最大变化是使用更大NA的光刻机,采用背面供电是水到渠成的事。可以说,背面供电对大算力芯片的晶体管微缩而言至关重要,可使设计公司在不牺牲资源的同时提高晶体管密度,进而显著地提高性能和能效。”上述人士总结道。在2023年VLSI研讨会上,英特尔就展示了制造和测试其背面供电解决方案PowerVia的过程,并公布了测试结果:标准单元利用率都超过90%,电压降低了30%,并实现了6%的频率增益,同时单元密度也大幅增加,并有望降低成本。综合已发布的信息,BSPDN与FSPDN前端供电网络相比,整体性能提高了44%,能效提高了30%。英特尔和三星都曾强调BSPDN的重要性,即背部供电将成未来芯片的标配,也是先进工艺的关键突破。其地位相当于2003年90nm节点的应变硅技术、2007年45nm节点的铪基高K金属栅极、2012年22nm节点的FinFET技术。更重要的是,这或只是起跳的开始。业内专家许然(化名)指出,背面供电除了能一定程度提高晶体管密度和信噪比之外,主要还是把供电和信号分上下两面做通道,意义在于配合之后的chip level bonding。从未来工艺发展来看,更多的功能或被推到背面,以进一步释放设计的潜力,甚至有望采用BSPDN推动3D IC 的发展,将新的未使用的金属互连与HBM或其他芯片堆叠在一起,这将引发新的先进封装革命。无论是立足于2nm的争霸,还是未来3D IC的布局,三大巨头都已着眼于背面供电排兵布阵。英特尔的挑战而从目前各企业进展和投入力度来看,大胆押注的英特尔正在领衔出击。其在第二季度宣布率先在产品级测试芯片上已实现PowerVia,并计划在2024年采用PowerVia在Intel 20A和18A工艺上线并大规模量产。而第一个使用该技术推出的处理器将是英特尔的Arrow Lake架构,这将是构建在20A节点上的下一代酷睿产品。作为大幅领先竞争对手的背面供电解决方案,PowerVia将让包含英特尔代工服务(IFS)客户在内的芯片设计公司突破日益严重的互连瓶颈,更快地实现产品能效和性能的提升。尽管从FSPDN到BSPDN的转变优势明显,但BSPDN的实现伴随着额外的技术复杂性,还要解决涉及EDA、设备、工艺等诸多挑战。许然解读说,首先,EDA和调试工具需重头设计,英特尔要创建自己的设计技术协同优化(DTCO)工具,优化新的EDA流程;其次,背面供电需在晶圆正面搭建好逻辑层和信号层布线,然后翻转晶圆,再搭建电源层。这要求增加和优化晶圆减薄、CMP、测试等步骤,加大了制造成本;最后,背面供电需在晶圆背面添加一个反型掺杂层,由于背面电极和正面电路之间存在物理和电学障碍,因此必须进行详细的物理和电学模拟和设计。此外,还需要提升信号和电力线连接的纳米硅穿孔(TSV)和散热等能力。英特尔技术开发副总裁Ben Sell也曾表示,背部供电极大改变了晶圆加工工艺,必须找到高效的方法,以便保证可靠性,提升产量。因而,孤军奋战的英特尔既需要大胆推进,更需要步步为营。看似英特尔是有备而来。据悉,英特尔开发了新的热管理方式,以避免过热问题的出现,同时,调试团队也开发了新技术,确保这一新的晶体管设计结构在调试中出现的各类问题都能得以适当解决。据悉PowerVia在测试中还达到了相当高的良率和可靠性指标,证明了这一技术的预期价值。竞合之势如果说每一代工艺有每一代的“绝活”,那么无疑背面供电技术将是影响2nm对决之势的一大因素。关键的问题是,PowerVia会是英特尔在2nm领域反超的王牌吗?前文提到,台积电插入BSPDN最晚可能是在2026年发生,而英特尔计划在2024年就量产,如此英特尔拥有领先两年的优势,有可能会在2nm及未来的3D IC中占据先机,甚至创造重新夺回领先地位的机遇?要知道,一般工艺两年会升级一个世代,对先进工艺来说,两年的时间确实可以改写江湖。在台积电2023年技术研讨会上,其透露N2P制程将通过背面供电技术减少IR Drop和改善信号,将性能提高10%-12%,并将逻辑面积减少10%-15%。但关于如何实施背面供电网络技术,台积电并没有过多透露。但台积电曾经介绍过3D IC封装技术SoIC,这是他们实现背面供电的一个很重要的前提准备。有分析师对此认为,至于背面供电技术,其实取决于各家晶圆厂的技术规划。目前来看,三方在材料、键合方式、结深都不太一样。英特尔已经投入相当长的时间研究与发展,而台积电未来也将通过与客户的合作来推进这方面的技术,三星也在持续加码,未来走势如何要看这两年英特尔能将优势提升到何种程度,并获得多少客户的订单。除在2nm GAA技术领域三大巨头要同台竞技之外,BSPDN战局的发展也将深刻影响2nm及1nm时代的格局。有消息称,英特尔最早可能在2024年超越三星成为代工榜眼,三星期望2030年超过台积电成为新的龙头,豪情和野心交织背后,BSPDN将是谁的“王炸”?
7.产业观察:镓、锗出口管制“满月”,国际国内市场风向迥异8月1日,中国对两种对半导体至关重要的金属镓、锗相关物项出口管制正式实施。Fastmarkets的数据显示,管制生效的10天内镓的价格就上涨了50%以上,8月9日达到每公斤400美元,如今这两种关键金属的全球市场已经面临供应紧张,管制的影响正在显现。镓、锗及相关化合物是 “半导体工业的粮食”,经济价值和战略价值都日益突出,对高科技产业发展有 “四两拨千斤”之效。目前,中国是镓、锗两种元素的最大生产国,其中镓产量占全球95%以上、锗产量占全球67%以上。同时,中国镓、锗两种金属矿产无论是在储量上还是在出口上,均在全球占据领先地位。从7月3日中国商务部、海关总署发布实施出口管制的计划以来,世界多个主要的镓、锗供应链下游地区均在紧急寻求多元化的弹性供应链,以减少对中国原材料的依赖。例如,美国最近宣布,五角大楼已经采取措施,增加国内锗和镓的开采和加工,同时展开废品回收提纯镓和锗再利用的工作。大宗商品巨头托克旗下Nyrstar正考虑在美国田纳西州的锌炼厂投资1.5亿美元,建造一个锗和镓的回收和加工设施;刚果民主共和国(DRC)和俄罗斯的矿业公司正在寻求增加锗的产量以满足需求等等。此外,加拿大公司Neo Performance Materials、美国Indium和比利时公司Umicore均有镓、锗回收业务。Resilinc的分析还指出,中国发布出口管制以来,镓、锗产业链受到了不同程度的影响。受影响的供应商达200家,受影响产品超过12000种,受影响的生产基地约为4400个,受影响的零部件总数超过22万个;供应链平均恢复时间为5周,最坏情况下恢复时间需要365周;影响了约320亿美元的销售收入。尽管在中国之外的一些地区也具有生产锗和镓的能力,但是可能无法在短期内迅速提高产量,成本方面也无法与中国产品媲美。并且因为污染问题,当地的环境、环保法规也限制了相关矿产的开采、加工和进一步扩产。预计镓、锗供应限制受影响最严重的行业包括半导体、汽车和国防工业。具体而言,它们将面临生产成本增加,因为锗和镓将出现短缺和更高的成本。供应链咨询公司Resilinc指出,未来可能受影响的企业包括所有EMS供应商(电子制造服务商)和半导体制造商,包括台积电、富士康、捷普、天弘、格芯、三星(代工业务)、台湾表面黏着科技、纬创、伟创力、德州仪器、弗莱伯格复合材料、意法半导体、Coherent、Wolfspeed等。全球最大的镓采购商弗莱伯格复合材料在7月中旬就曾表示出口管制已导致客户疯狂囤积该公司使用镓金属生产的特种半导体晶圆。
相关芯片制造商通常会储存大约三到六个月的材料库存,可以在短期供应紧张的情况下维持生产。为避免“断供”的影响,7月以来供应链下游的客户就在努力囤货,导致了镓、锗价格一路上扬。在7月3号管制计划宣布之后一周内,镓的价格大幅上涨约27%,达到326美元/公斤,每公斤上涨了43美元。锗价格则微幅上涨了1.9%。据集微网统计,2022年我国镓和锗相关物项出口总额10.37亿美元,进口总额6.1亿美元,贸易差额4.27亿美元。2023年1-7月份,出口额为6.96亿美元,同比增长17.3%,7月份出口额为1.21亿美元,同比增长22.7%,环比增长12.1%。其中,在韩国、日本、印度、美国、中国台湾、德国、中国香港、俄罗斯、法国、奥地利等出口目的地区中,今年前七个月韩国、美国、奥地利等国出口量大幅增长,奥地利同比增长超过22倍。
据SMM统计,中国镓目前总产能大于800吨,2023年扩建、在建、新建项目超200吨,2024年预计还有超200吨新增产能。SMM预测,2023年国内的镓产量将在760吨左右,表观消费量将在644吨左右,其中大部分的镓国内消费也将以镓的半成品和产品的形式出口。在出口受影响的预期下,与国外市场的风声鹤唳相比,镓的国内价格在经历了前期的上涨之后开始出现小幅下跌,保持着成交冷清的局面。由于国内终端及投机资金对8月整体看空,市场需求买兴不足,部分终端客户仅按需购买。供应方也表示出货不畅是当下常态,逐步降价销售的策略还在继续,因此镓价也出现下行。
中国商务部发言人近期已表示,陆续收到部分企业关于出口镓、锗相关物项的许可申请,目前正依法依规进行审查,将综合考虑国家安全和利益、 国际义务、最终用户和最终用途等相关因素后,作出是否予以许可的决定。据了解,镓、锗出口审批过程可能需要六到八周的时间,而许可证的有效期最长为6个月,在此背景下,相关金属出口量大概率会下降,预计海外镓、锗价格仍将坚挺,但未来走势还要继续观察申报出口情况。反观国内市场,由于出货不畅,镓市场价格的下跌可能也将持续。目前看来预计8月镓大概率出口量会有一定程度的下降,对于8月份的镓价有很大压力,但未来走势还要继续观察申报出口情况。不过,也有市场人士表示,由于目前来看,海外镓价较为坚挺,这也折射出国内镓出口可能的确不多。有部分激进市场人士表示,倘若出货不畅继续这样下去,镓市场价格的下跌可能还会维持很久,幅度可能也不会小。当然变数也有。美国商务部长雷蒙多与中国商务部长王文涛8月28日会谈,中美经贸关系迎来改善的转机。双方同意成立一个涵盖贸易和投资问题的工作组,并交换有关半导体相关出口管制的信息。尽管雷蒙多此行不会产生“具有根本性变革的重大成果”,但是也在一定程度上避免了中美双方出口管制进一步升级的风险。
8.新规今日生效 ASML:年底前可以向中国出货受限芯片制造设备
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集微网消息,ASML发言人表示,尽管出口限制从9月份开始实施,但该公司在年底前获得了向中国出口受限芯片制造设备的许可证。
据彭博社8月31日报道,美国限制向中国出口尖端技术的努力,损害了ASML的利益,中国是ASML的第三大市场。美国政府曾敦促荷兰政府阻止ASML在没有许可证的情况下向中国出口浸入式DUV光刻机,新限制于9月1日正式生效。
ASML发言人表示:“从9月开始的四个月期限是为了让ASML能够履行与中国客户的合同义务。但预计不会获得新出口许可证,从1月份开始向中国出口三款先进的浸入式深紫外光刻机(DUV)。”
据悉,今年6月末荷兰发布新出口管制措施,规定半导体厂商在出口一些先进的深紫外光刻(DUV)系统时申请出口许可证。知情人士称,在新规定生效之前,中国芯片制造商一直在争相收购重要设备。海关数据显示,今年到目前中国从荷兰进口的此类设备已经超过了2022年全年的总量。
这些规定涵盖了一小部分用于芯片制造工艺的极其先进的设备,包括浸润式深紫外(DUV)光刻和原子层沉积(ALD)设备。ASML曾表示,其最先进的DUV设备属于新规定的范围,但其主流DUV设备不属于新规定的范围。自2019年以来,该公司已被禁止向中国出口其更先进的EUV(极紫外线)光刻机。
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