Pure Storage开启“ 全闪存数据中心”时代

8月8日Pure Storage宣布其已实现一项愿景目标：即率先成为业界首家以全闪存解决方案满足客户全部存储需求的技术提供商。目前只有 Pure Storage 可以真正做到这一点，这主要归功于其在原生闪存管理、Purity架构、Evergreen支持架构和云运营模式方面的独到之处。

简单一句话：开始数据中心全闪存时代。

全闪存数据中心时代意味着：你不需要磁盘，全闪存的时代已经到来!这是很多人梦寐以求的事情，也是闪存为之奋斗的目标。在此之前是什么阻碍了全闪存梦想的实现?成本，也就$/GB无疑是主要的障碍?

如今$/GB的大山被翻越了吗?

Pure Storage给的答卷是: FlashArray//E，它能够提供每GB 0.20美元不到的价格，其中包含持续三年的技术支持。

对于Pure Storage这样的一个答卷，市场会表示认可吗？相信市场表现，会给出结论。在此，Pure Storage 中国区销售总监朱星勃（Brandon Zhu）给出了一组数据：相比3.4%的市场增长率，Pure Storage 57.6%的表现令人瞠目，不知道其中技术因素是不是起到决定作用。

让我们具体看看Pure Storage FlashArray//E是如何实现0.20美元/GB不到，这样一个目标呢？

Pure Storage大中华区技术总监何与晖 (Andrew Ho)透露：FlashArray//E集成了包含NVRAM模块在内的单盘容量最大75TB QLC DirectFlash (DFMD)闪存盘，这应该是它能够实现目标的主要原因。

Pure Storage预计，到2026年，DirectFlash®将推出单盘容量300TB的闪存介质，相较于同类全闪存阵列竞品，客户将享受超凡的能耗和空间节省，20倍可靠性提升，性能提高4倍以上。此外，Pure//E系列的容量支持门槛从先前的4PB下调到了1PB，其性能水平居于业界前列 (能耗比磁盘低5倍)。

Pure Storage全闪存数据中心并非只有FlashArray//E，还包括新一代FlashArray//X和FlashArray//C：与前几代产品相比，此次发布的最新一代FlashArray//X和FlashArray//C R4取得了重大突破。

最新的R4型号性能提升高达40%，内存速度提高了80%以上，支持更大的工作负载整合，在线数据消重能力提升了30%，进一步扩展存储容量。FlashArray//X和FlashArray//C R4基于PCIe Gen4技术构建，采用最新的英特尔至强芯片组和DDR5 DRAM，为客户提供更强大的功能，支持更多工作负载，且可节省高达74%的总体拥有成本。

何与晖表示：性能的增强与提升，意味着用户可以在预算不超支的前提下，为业务关键型工作负载提供更多选择；用户也可以利用FlashArray//C90为不需要亚毫秒级(2毫秒) 延迟的业务，提供了更多选择，使其成为运行数据库、工作负载整合、业务连续性/容灾和文件工作负载（包括VMware、PACS和文件存储）的完美平台。

“FlashArray//C也支持75TB QLC DirectFlash® (DFMD)闪存盘，DFMD最初是随FlashArray//XL发布，降低了对机架空间的需求，支持更大的容量扩展和更高的NVRAM吞吐量。与此同时，FlashArray//X则是选择了36TB TLC DFM，这些DFM每3U机架高度提供1.5PB的容量，1U机架高度的密度提高了106%。此外，新产品增强了数据保护的功能，自动开启SafeMode，默认快照计划和长达30天的快照保护。”他说。

何与晖还表示，新的产品将巩固Pure Storage在人工智能项目中的优势，例如自动驾驶汽车研发公司，以及全球最大的人工智能超级计算机Meta AI的研究超级集群 (AI RSC) 等。早在多年前，Pure Storage就推出了FlashBlade® 以及与NVIDIA联合开发的AIRI® (AI就绪的基础设施)解决方案，发布了NVIDIA DGX BasePOD参考架构。