深圳市森国科科技股份有限公司兰华兵：碳化硅MOSFET芯片设计及发展趋势

随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，深圳市森国科科技股份有限公司兰华兵做了题为“碳化硅MOSFET芯片设计及发展趋势”的主题报告。SiC器件具有优异的特性，未来在高压、高频、大功率、环境恶劣的场景下将逐渐替代硅基功率器件。第三代半导体目前主流器件形式为碳化硅衬底-碳化硅外延功率器件，用以实现AC->AC(变压器)、AC>DC(整流器)、DC->AC(逆变器)、DC->DC(升降压变换器)，碳化硅器件更适合高压和高可靠性情景，应用在新能源汽车和工控等领域。

报告分享了新能源汽车、泛新能源、光伏逆变、储能、充电桩等领域的应用现状与趋势，结合当前碳化硅材料及器件特性探讨了最新技术进展，报告指出，提高器件的可靠性和效率，器件尺寸缩小，降低成本是SiC 功率器件未来重要的发展方向。SiC功率器件及模块在新能源汽车及泛新能源，风光储充的产业机会坡长雪厚。

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）