英诺赛科再推两款GaN器件，在工业市场挖掘新蓝海

近期，为了推进GaN在高频市场的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN。

其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封装，体积小巧，且开关损耗低，具有良好的效率表现，目前已成功量产。INN150FQ070A，采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚设计，已通过小批量试产。

Source：英诺赛科

这两款产品能够满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。

从业绩上来看，今年第一季度，英诺赛科的GaN芯片出货量突破了5000万颗，销售额达1.5亿，是去年同期的4倍。同时，依靠8英寸硅基GaN IDM全产业链的优势，英诺赛科40V/100V/150V低压平台也实现全面升级， 40V双向导通产品、100V半桥驱动合封产品等多系列产品相继发布。

GaN寻找新蓝海

当前，消费电子是GaN应用的主要驱动力，尤其是在手机快充领域。但在过去几年，基于GaN的手机快充渗透率持续提升，且手机充电器属于低频消费品，更换周期长，当前智能手机出货量又总体萎靡，加之有众多企业涌入手机快充领域，导致该领域已经进入红海市场。所以，对于GaN企业来说，扩展全新的版图显得尤为重要。而to B市场则比较有增长潜力。尤其是在新能源领域。

除了此次英诺赛科的GaN产品被用于微型逆变器之外，去年年末，浙江贝尼电气官网对外展示了他们的2800W四路微型逆变器，并声称是全球首款成熟的应用GaN技术的微型逆变器。

此外，去年的德国慕尼黑电子展期间，无晶圆半导体公司Cambridge GaN Devices (CGD)与荷兰Neways国际电子公司签署了合作协议，拟共同开发高效GaN光伏太阳能逆变器产品。总体来看，目前已经有厂商开始将GaN器件应用于微型逆变器产品中。

光伏之外，GaN上车也成为当前的热门。作为一种高电子迁移率晶体管（HEMT），GaN FET优异的材料和器件特性使其成为汽车电源系统和射频器件中，更先进应用的理想选择。

此外，EV的电力系统常常在高开关频率、高输出电流和高电压下运行，GaN所具备的出色的高频特性可以被用在电动汽车的牵引逆变器、车载充电机（OBC）、DC/DC转换器、激光雷达上的电源模块、汽车座舱内的无线充电等场景中。据悉，欧盟已在2021年启动项目，目标是将GaN的电压提升到1200V，并将晶圆尺寸从6吋增大到12吋。

目前，英诺赛科GaN已经用于车载激光雷达产品上，且实现了量产。今年年初，GaN Systems在应用电力电子会议 (APEC 2023) 上发表了最新 11kW/800V GaN车载充电器 (On-Board Charger) 参考设计，与采用SiC晶体管产品相比，提高 36% 功率密度，降低至少 15% 整体物料清单 (BOM) 成本。

此外，2021年宝马与GaN Systems合作，就宝马高性能车载标准氮化镓功率半导体签订了全面的产能协议，合作金额达1亿美元。（文：化合物半导体市场 Jump整理）

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