WIN推出新一代毫米波GaAs技术

结合单独优化的pHEMT，在同一芯片上实现一流的PA和LNA性能

台湾化合物半导体晶圆代工厂WIN Semiconductors宣布其新一代集成毫米波GaAs平台PQG3-0C的商业发布。

针对毫米波前端，PQG3-0C技术结合了单独优化的E模式低噪声和D模式功率pHEMT，以在同一芯片上实现一流的PA和LNA性能。

E模式/D模式pHEMT的ft分别为110GHz和90GHz，均采用了通过深紫外光刻技术制造出的0.15µm T形栅极。深紫外光刻是一种经过验证的大批量制造技术，适用于短栅极长度器件，并消除了传统电子束图形成的吞吐量限制。PQG3-0C有两个专用毫米波晶体管，含射频开关和ESD保护二极管，随着片上功能的增加，PQG3-0C为广泛的前端功能提供了支持。

E模式和D模式晶体管在4V下运行，均可用于毫米波放大。D模式pHEMT针对功率放大器，产生超过0.6 watt/mm的功率和11dB的线性增益，29GHz测定的功率附加效率接近50%。作为单电源LNA，E模式pHEMT运行效果最佳，在30GHz时产生低于0.7dB的最小噪声系数，同时有8dB相关增益和26dBm的三阶输出截距(OIP3)。

PQG3-0C平台在150mm GaAs衬底上制造，提供两个具有低k介电质交叉的互连金属层，用于紧凑型ESD保护电路的PN结二极管和射频开关晶体管。最终芯片厚度为100µm，带有晶圆通孔(TWV)的背面接地面符合标准，可配置为穿过芯片的射频转换，以消除毫米波频率下键合线的不利影响。PQG3-0C还支持倒装芯片封装，并且可以与WIN内部凸块生产线中制造的铜柱凸块一起交付。

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