台亚布局第三类半导体 扩建铜锣新厂

台亚半导体从光电转型，投入第三类（亦称宽能隙）半导体，针对矽基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化矽（SiC）全面布局，2023年6寸晶圆氮化镓将小量生产贡献营收，预计在2023年底完成8寸氮化镓产线及子公司「积亚半导体」碳化矽产线建置，2024年氮化镓营收比重将上看3成，并规划在铜锣厂区争取4公顷厂房用地，预计2026年初开始投产，朝向「类整合元件制造（IDM）厂」的营运定位。

台亚表示，目前利用现有6寸传感元件产能，配合2022年增加关键MOCVD设备进驻调校后，目前已完成第一颗650V D-mode HEMT开发，并送样予客户验证，但受限于目前产能瓶颈无法放大，在完成验证后将可开始展开代工出货，未来应用范畴涵括工具机、绿能（太阳能逆变器）、LED照明电源（模块）、电竞NB等多元市场。

此外，氮化镓8寸产线也将在2023年底前完成置备，并开发E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦于3C快充、云端信息存储中心、电动车、无人机市场，目标设定为2024年底前达每月3,000片出货量，未来规划产能满载将可达到5,000片，也不排除朝向12寸产线发展。

至于积亚半导体也投入于碳化矽磊晶及MOSFET功率元件的生产制造，预计2023年第4季前完成6寸碳化矽每月3,000片的产能置备，并将逐步开始生产，后续产能目标为每月5,000片。产品应用主要为电动车OBC、太阳能逆变器及充电桩。

台亚总经理衣冠君表示，为了争取市场出货商机，将购置二手生产设备，预计氮化镓2024年将可达到3成营收比重，而碳化矽在2023年底完成装机及小型试产线，从2024年第1季开始试产，初期先从二极管开始切入，但MOSFET元件也会平行推动，预计半年内将看到样品产出，但碳化矽在2024年仍不会带来营收贡献。

由于看好2025年后电动车市场对宽能隙半导体功率元件将供不应求，为了积极因应未来市场需求爆发，台亚表示，目前正申请在铜锣科学园区规划新建厂房，初步估计用地达4公顷，相关细节将有待1~2个月后取得科管局审核结果。

若进度顺利，预计2025年底新厂将会完工，并从2026年初开始生产，届时将招聘数百位工程师，将生产碳化矽、氮化镓功率元件，以及产品封测等领域，以定位为类IDM厂，目标为上下游的技术垂直整合。

衣冠君也表示，台亚在斥资新建宽能隙半导体产线时，同步纳入扶植中国台湾本土设备制造商，故第一条8寸氮化镓生产线所采用的台湾本土设备比例已达40%以上，为台湾半导体界罕见的高比例，主要生产设备包括蚀刻、清洗类、关键镀膜ALD，原子级镀膜设备等。

近期意法半导体（STM）宣布与三安光电合作投资设厂，将大举建置碳化硅片厂，衣冠君认为，国内市场普遍以补贴手段扶植特定战略性产业，即使赔钱生产也在所不惜，过去意法注重于碳化矽开发，但短期内缺乏足够产能，透过国内策略夥伴的产能来搭配生产，并透过技术加入来协助三安生产，从商业考量是很合理，但未来市场需求庞大，不会是只有一家使用的天下，无论是碳化矽、IGBT或氮化镓都有机会用到电动车的功率转换应用。

台亚表示，布局宽禁带及化合物半导体的技术，未来将能与大股东日亚化展开深化合作，并透过日亚化与汽车产业链的关系建立合作，同时也能在消费性、动力、航空或航太应用领域推动发展机会。