奠基、开建、补贴！意法/安森美/Wofspeed SiC工厂新进展

今天，“行家说三代半”将为大家提供3条信息服务：

·意法半导体：重庆SiC工厂正式奠基；

·Wolfspeed：查塔姆工厂获得环保许可，即将开建；

·安森美：捷克SiC工厂将获得3.6亿元补贴。

意法半导体：

重庆SiC厂正式奠基

近日，意法半导体和三安光电合资建设8英寸碳化硅器件工厂的消息引发了行业震动。

6月8日，双方在重庆签署了三安意法碳化硅项目合作协议。该市委书记袁家军，市委副书记、市长胡衡华会见了意法半导体集团总裁兼首席执行官让·马克·奇瑞、三安集团董事长林秀成一行并见证签约。

据“行家说三代半”了解，目前该工厂还已经举行了奠基仪式。

据悉，该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。该厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成。

Wolfspeed：

查塔姆工厂即将开建

6月8日，据外媒消息，Wolfspeed位于北卡罗来纳州的查塔姆工厂于获得了空气质量许可证，意味着查塔姆工厂即将开建。

Wolfspeed 发言人梅琳达·沃克 (Melinda Walker) 公开表示，“查塔姆工厂场地已经完全准备就绪，现在可以开始建造大楼了。”

据悉，查塔姆工厂位于查塔姆县西部的 Siler 市，预计占地 445 英亩，预计在明年年底前完成第一阶段的建设。

据”行家说三代半“此前报道，2022年9月，Wolfspeed 官网宣布将投资约13亿美元（约90亿人民币），在北卡罗来纳州新建一个号称世界上最大的碳化硅衬底工厂，即查塔姆工厂。

该工厂临近Wolfspeed 已建成的达勒姆（Durham）碳化硅衬底工厂，而新工厂的建成也将使他们的碳化硅产能增加10倍以上，主要生产8吋碳化硅衬底，供应Wolfspeed的纽约莫霍克谷工厂。

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安森美：

有望获3.6亿元补贴

6月7日，据外媒消息，安森美已向捷克工业和贸易部等四个相关部委申请，为其捷克罗兹诺夫（Roznov）工厂申请额外的投资优惠政策，金额达5.46亿克朗（约3.6亿元人民币），相当于总投资额的22.53%。

安森美将有很大概率获得补贴。捷克工业和贸易部长Josef Szykela表示，说，安森美的额外投资是"加强捷克半导体产业的重要一步，有助于进一步稳定捷克国内产业，减少供应风险。

安森美Roznov工厂于2019年开始生产SiC。今年5月，安森美在今年一季度电话会议上表示，他们正在考虑投资 20 亿美元（约合人民币140亿元），在美国、捷克共和国或韩国扩大碳化硅芯片的产能。

而在此之前，捷克Roznov工厂已完成3次扩产：

●2022年9月，安森美宣布未来两年将投资4.5 亿美元（近32亿元人民币），将Roznov工厂SiC晶圆抛光和外延片的产能提高 16 倍。

●2019和2021年，安森美分别2次扩建捷克工厂，合计投资超过1.5亿元（约10.6亿元人民）。

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《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章 全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章 全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

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